結論：TCB（Thermo-Compression Bonding：熱圧着ボンディング）は、チップを加熱・加圧しながら高精度に積み上げる接合技術。HBMのDRAM積層の量産を支える現在の主力工法で、装置はASMPT・BESI・新川（ヤマハロボティクス）などが競う。ハイブリッドボンディング普及までの中核技術だ。
TCBとは何か
TCBは、バンプ付きチップをボンディングヘッドで吸着し、下のチップ・基板に対して±1μm級の精度で位置合わせした後、数百℃・数十Nで加熱加圧してはんだを瞬時に溶融接合する工法だ。リフロー炉で一括加熱する通常のフリップチップと異なり、1チップずつ確実に接合するため、微細ピッチ・多段積層でも接合品質を制御できる。熱でチップが反る条件下でμm精度を維持するヘッド・ステージ技術が装置の心臓部となる。
HBM量産の主力工法
HBMは薄化DRAMを12〜16段積むため、TCB＋NCF（非導電フィルム）が標準工法となってきた。SKハイニックスは液状材料を使う独自のMR-MUF工法で熱伝導と生産性を改善し、HBM競争の勝敗を分けた要因の一つと評価される。積層段数が増えるほど累積位置ずれ・熱ダメージが厳しくなり、HBM4以降はハイブリッドボンディングとの併用・移行が焦点となっている。
装置プレーヤー
TCBボンダはASMPT・BESI・新川（ヤマハロボティクス傘下）・東レエンジニアリング・韓国ハンミ（Hanmi Semiconductor）・セメス（Samsung系）などが競合する。特にハンミはSKハイニックス向けHBM用ボンダで急成長し、韓国装置株の代表格となった。スループット（1時間あたり接合数）と精度の両立、そしてNCF・フラックスレスなど材料プロセスとの擦り合わせが差別化要因だ。
投資・M&A視点
TCB装置市場はHBM設備投資と完全連動しており、メモリ3社のHBM増産計画が最大の需要ドライバーだ。ハイブリッドボンディング移行は中期リスクだが、微細バンプ接合の需要はチップレット全般に広がっており、装置各社は両対応でリスクヘッジしている。日本勢では新川を抱えるヤマハロボティクス、東レエンジニアリングの動向、韓国勢ではハンミの独走が注目点となる。
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