結論：フリップチップは、チップ表面に形成したバンプ（突起電極）を下向きに裏返して基板と直接接合する実装技術。ワイヤボンディングより多ピン・高速・低インダクタンスで、CPU・GPU・スマホAPなど高性能チップの標準実装方式となっている。
フリップチップとは何か
フリップチップ実装では、チップの電極パッド上にはんだや銅のバンプを形成し、チップを反転（フリップ）させて基板の電極と位置合わせし、リフロー加熱で一括接合する。IBMが1960年代に開発したC4（Controlled Collapse Chip Connection）が原型だ。チップ全面に格子状に端子を配置できるため、周辺部しか使えないワイヤボンディングに比べ端子数を桁違いに増やせる。
ワイヤボンディングとの使い分け
フリップチップは配線長が短く電気特性に優れる一方、バンプ形成・アンダーフィル充填などの工程コストが高い。このため高性能・多ピンのCPU・GPU・FPGA・スマホAPはフリップチップ、コスト重視のマイコン・アナログ・メモリの多くはワイヤボンディングという使い分けが定着してきた。近年はさらに微細なマイクロバンプ接続、そしてバンプレスのハイブリッドボンディングへと進化が続く。
工程と主要プレーヤー
バンプ形成は電解めっきによるウェーハ一括処理が主流で、ファウンドリ・OSAT・バンプ専業（台湾頎邦=ChipboundなどのWLCSP企業）が担う。実装装置ではフリップチップボンダのASMPT・BESI・パナソニックコネクト・ファスフォードテクノロジ（富士機械系）などが競い、位置精度と生産性が競争軸だ。材料ではアンダーフィル樹脂（ナミックス等）、フラックス、はんだ材料が周辺市場を形成する。
投資・M&A視点
フリップチップは成熟技術だが、AI・HPC向けの大型パッケージでは接合点数が数十万点規模に達し、精度・歩留まり要求が再び高度化している。ボンダ市場ではBESIとASMPTの2強にAI向け特需が集中し、TCB・ハイブリッドボンディングへの技術連続性を持つ企業ほど評価が高い。日本勢の装置・材料（ナミックス、レゾナック、千住金属など）は買収・提携の対象として注目度が高まっている。
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