半導体ニュース– category –
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AI半導体ニュース
【2026年4月】パワー半導体市場、2030年に急拡大|SiC・EV化が牽引する次の主戦場
結論:パワー半導体市場はEV(電気自動車)と再生可能エネルギーの拡大を背景に急成長しており、2030年には現在の市場規模から大幅に拡大する見通しだ。特にSiC(炭化ケイ素)デバイスが成長の中核となり、従来のシリコン半導体からの構造転換が進んでいる... -
メモリニュース
DRAM汎用品の急騰に一服感|HBMシフトが生む「二層化するメモリ市場」
結論:2026年3月のDRAM汎用品の大口取引価格は約1年ぶりの横ばいで決着し、急騰への一服感が出ている。しかしこれはメモリ市場の正常化ではない。Samsung・SK hynix・Micronの3社がHBM(高帯域幅メモリ)という高収益品への生産シフトを加速させた「構造的... -
メモリニュース
【2026年4月30日】Samsung Q1決算|営業利益57兆ウォンの衝撃・AIメモリ主導で過去最高益
結論:Samsungは2026年4月30日、2026年1〜3月期(Q1)決算を発表した。売上高133.9兆ウォン、営業利益57.2兆ウォンと過去最高水準を記録。このうち半導体部門だけで営業利益53.7兆ウォンを稼ぎ出した。AI向けHBMとDRAM価格の急騰が収益を押し上げており、S... -
日本企業ニュース
ローツェが新社屋建設を発表|半導体搬送ロボの開発能力を強化する戦略的意図を読む
結論:ローツェ(6323)が2026年4月30日、広島県福山市の本社敷地内に新社屋を建設すると発表した。クリーンルームを増強した新棟により半導体ウエハー搬送ロボットの開発能力を強化する。2029年稼働予定のこの投資は、AI・データセンター需要を背景とした... -
日本企業ニュース
【2026年4月30日】ローム、8インチSiC MOSFETを2年前倒しで開発達成|EV向けパワー半導体競争で先手
結論:ロームは2026年4月30日、8インチ(200mm)ウェハを使った次世代SiC MOSFETの開発を計画より2年前倒しで達成したと発表した。8インチSiCウェハへの移行はコスト削減と生産能力拡大の鍵であり、ロームがSTマイクロエレクトロニクス・ウルフスピードな... -
製造装置ニュース
【2026年4月30日】東京エレクトロン2026年3月期決算|売上2兆4435億円・AI需要と中国リスクの構造を読む
結論:東京エレクトロン(TEL)は2026年4月30日、2026年3月期(FY2026)通期決算を発表した。売上高2兆4,435億円、粗利益1兆1,078億円と過去最高水準を維持。AI向け先端ロジック・HBMメモリ投資の恩恵を受ける一方、米国の対中輸出規制強化による中国向け... -
日本企業ニュース
【2026年4月30日】ローム、8インチSiC MOSFETを2年前倒しで開発達成|EV向けパワー半導体競争で先手
結論:ロームは2026年4月30日、8インチ(200mm)ウェハを使った次世代SiC MOSFETの開発を計画より2年前倒しで達成したと発表した。8インチSiCウェハへの移行はコスト削減と生産能力拡大の鍵であり、ロームがSTマイクロエレクトロニクス・ウルフスピードな... -
日本企業ニュース
【2026年4月】ローム・東芝・三菱電機のパワー半導体統合協議が焦点に|日本版パワー半導体連合の可能性
結論:2026年4月頃から、ローム・東芝デバイス&ストレージ・三菱電機のパワー半導体事業統合に向けた協議が業界の焦点として浮上している。3社が統合した場合、年商規模・技術ポートフォリオ・顧客基盤においてSTマイクロエレクトロニクスやインフィニオン... -
ファウンドリニュース
【2026年4月28日】米国がHua Hong向け装置輸出を停止命令|中国7nm制御と日本への波及を読む
結論:米商務省は2026年4月28日、Lam Research・Applied Materials・KLAなど主要半導体製造装置メーカーに対し、中国第2位のファウンドリHua Hong向けの一部製造装置出荷停止を命じた。Hua Hongの施設が7nm級製造能力に近づいているとの懸念が背景にあり、... -
製造装置ニュース
【2026年4月28日】米国、Hua Hong向け半導体製造装置の出荷を制限|中国7nm開発を抑制へ
結論:2026年4月28日、Reutersは米商務省がLam Research、Applied Materials、KLAなどの半導体製造装置メーカーに対し、中国のHua Hong向け一部装置・材料の出荷停止を命じたと報じた。米国の狙いは、中国第2位級ファウンドリであるHua Hongの先端半導体、...