半導体用語集– category –

結論：TCB（Thermo-Compression Bonding：熱圧着ボンディング）は、チップを加熱・加圧しながら高精度に積み上げる接合技術。HBMのDRAM積層の量産を支える現在の主力工法で、装置はASMPT・BE […]

この記事の要点SiP（System in Package）の仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、接続密度、反り、熱抵抗、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論：SiP（System in Package）...

この記事の要点アンダーフィルの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、性能、消費電力、信頼性、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論：アンダーフィルは、フリップチップの...

結論：モールディング（封止）は、チップとワイヤ・バンプを樹脂で覆い、湿気・衝撃・光から保護する工程。エポキシ封止材（EMC）は住友ベークライト・レゾナック・京セラなど日本勢が世界シェアの大半を握り、装置はTOWAが圧縮成形でリードする。モールデ...

この記事の要点ウェーハを個々のダイへ切り分ける後工程で、ブレード・レーザーなどを使う加工です。比較では、切断幅、チッピング、速度、洗浄、薄ウェーハ対応を確認します。代表企業、市場の金額、実務・企業分析の視点まで整理します。結論：ダイシン...

結論：バックグラインディングは、ウェーハの裏面を研削して厚さを数百μmから数十μm（HBM用途では30μm台）まで薄くする工程。チップ積層時代の必須技術であり、研削装置はディスコ・東京精密の日本2強が支配。薄くなるほど割れやすく、搬送・保護技術が価...

結論：RDL（Redistribution Layer：再配線層）は、チップの電極位置をパッケージ都合の位置に「引き回し直す」ための薄膜配線層。WLP・ファンアウト・2.5Dパッケージの根幹技術であり、微細化（2μm以下 […]

この記事の要点バンプ・マイクロバンプの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、接続密度、反り、熱抵抗、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論：バンプはチップと基板・イン...

この記事の要点複数ダイを高密度配線で接続する中間基板で、2.5D実装の帯域と面積を支える部材です。比較では、配線密度、サイズ、TSV、反り、歩留まりを確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：インターポーザは、GPUと...