半導体用語集– category –

結論：RISC-Vはロイヤリティフリーのオープンソース命令セットアーキテクチャ（ISA）。Arm・x86が支配するプロセッサ市場に新たな選択肢を提供し、IoT・エッジAI・中国の国産半導体推進で急速に採用が広がっている。RISC-Vとは何かRISC-V（リスクファイブ...

結論：FPGA（Field-Programmable Gate Array）は出荷後でも機能を書き換え可能なプログラマブル半導体、ASIC（Application Specific Integrated Circuit）は特定用途向けに最適化した専用設計チップ。AI推論・通信・データセンターで両者の使い分けと優劣...

結論：ATE（Automatic Test Equipment：自動テスト装置）は半導体チップの電気的特性・機能・速度を自動検査する装置。Teradyne・Advantestの2社が世界市場を約8割寡占し、AI半導体・HBM・SiCの複雑化で高価格ATE需要が急増している。ATEとは何かATE（Auto...

結論：OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Test：外注後工程）はウェーハのダイシング・パッケージング・テストを受託する後工程専業企業。ASE Group・Amkor・JCET・PTIが市場をリードし、チップレット・先端パッケージングの普及でOSATの戦略的...

結論：シリコンウェーハは半導体製造の出発点となる高純度シリコン基板。信越化学工業・SUMCOの2社が世界シェアの約60%を寡占しており、直径300mm（12インチ）ウェーハが先端ファブの標準だ。材料品質がチップ性能・歩留まりを根本から左右する重要インフ...

結論：EDA（Electronic Design Automation：電子設計自動化）は半導体チップの論理設計・物理配置・検証・シミュレーションを行うソフトウェアツール群。SynopsysとCadenceが世界市場を事実上二分し、先端ノードの設計複雑化とAI半導体需要の拡大でEDA市場...

結論：GaN（窒化ガリウム）はSiより高いバンドギャップを持つワイドバンドギャップ半導体。高周波・高効率スイッチングデバイスとして5G基地局のRFパワーアンプ・急速充電アダプター・データセンター電源に急速普及しており、SiCと並ぶ次世代パワー半導体...

結論：3D NANDはフラッシュメモリセルを垂直方向に積層した不揮発性メモリ技術。平面（2D）NANDの微細化限界を突破し、スマートフォン・SSD・データセンターストレージの容量増大を実現している。Samsung・SK Hynix・Kioxia・WDC・Micronが競争する市場だ...

結論：DRAM（Dynamic Random Access Memory）はトランジスタ1個とキャパシタ1個で1ビットを記憶する揮発性メモリ。PCのメインメモリとして広く使われ、SK Hynix・Samsung・Micronの3社が世界市場の95%超を寡占する半導体業界の基幹製品だ。DRAMとは何かDRA...