半導体用語集– category –

結論：3D NANDはフラッシュメモリセルを垂直方向に積層した不揮発性メモリ技術。平面（2D）NANDの微細化限界を突破し、スマートフォン・SSD・データセンターストレージの容量増大を実現している。Samsung・SK […]

結論：DRAM（Dynamic Random Access Memory）はトランジスタ1個とキャパシタ1個で1ビットを記憶する揮発性メモリ。PCのメインメモリとして広く使われ、SK Hynix・Samsung・Micr […]

この記事の要点設計から製造、販売までを一体で担う垂直統合型の半導体企業です。比較では、設備投資、工場稼働率、製品構成、内製技術、地域分散を確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：IDM（Integrated Device Manuf...

この記事の要点高耐圧・高温・高速スイッチングに適したSiC材料のパワーデバイスです。比較では、耐圧、オン抵抗、歩留まり、ウェーハ径、供給能力を確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：SiC（炭化ケイ素）パワー半導...

この記事の要点機能別の小さなダイを高速接続し、一つのシステムとして構成する設計手法です。比較では、ダイ間帯域、消費電力、歩留まり、IP再利用、実装コストを確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：チップレット（...

この記事の要点DRAMダイを積層し、広いインターフェースで高帯域を実現するメモリです。比較では、帯域、容量、消費電力、積層数、供給能力を確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：HBM（High Bandwidth Memory）はDRAM...

この記事の要点ゲートがチャネル全周を囲み、微細化時の電流制御を高めるトランジスタです。比較では、ゲート長、リーク、駆動電流、シート幅、歩留まりを確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。結論：GAA（Gate All Aro...

結論：FinFET（Fin Field-Effect Transistor）は電流を制御するゲートがフィン（ひれ）状のシリコン突起を三方向から囲む3次元トランジスタ構造。従来の平面型（Planar）MOSFETに比べリー […]

この記事の要点複数のウェーハやダイを接合し、3次元集積を実現する技術です。比較では、位置精度、接合強度、反り、ボイド、歩留まりを確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：ウェーハボンディングは2枚以上のウェーハ...