半導体用語集– category –

結論：EM耐性（エレクトロマイグレーション耐性）はCu配線の長期信頼性を決定する指標、RC遅延は配線抵抗と寄生容量による信号遅延。先端ノードの微細化でRC遅延がトランジスタ遅延を超え、配線がチップ性能のボトルネックになっている。 EM耐性（エレクト...

結論：スキャナー（露光装置）は、フォトマスクのパターンを縮小投影してウェーハに焼き付ける半導体前工程の核心装置。ASML・Canon・Nikonが競合するが、EUV機はASMLが世界で唯一の供給元として独占する。 スキャナーとステッパーの違い 露光装置は、フォ...

結論：電解めっきは、電気化学反応を利用してCuイオンをトレンチ・ビアホールに均一に埋め込む成膜技術。ダマシンCu配線形成の核心工程であり、LAM Research（Sabre）・Applied Materials（Raider）が装置市場を独占する。添加剤制御によるボトムアップ埋...

結論：真空ポンプは、CVD・PVD・エッチング・イオン注入など半導体製造装置のチャンバーを高真空状態（10⁻⁶ Pa以下）に保つインフラ機器。サブファブ（製造フロア下階）に設置され、Edwards（Atlas Copco傘下）・アルバック（ULVAC）・Pfeiffer Vacuumが主...

結論：欠陥検査は、半導体ウェハ上のパーティクル・パターン欠陥・異物を光学系または電子線（e-beam）で検出する工程。製造歩留まりを守る「番人」であり、KLA Corporation（米）が検査装置市場で世界シェア50%以上を独占する。 欠陥検査とは何か・なぜ重...

結論：MES（Manufacturing Execution System：製造実行システム）は、半導体工場でウェハロットの工程進捗・品質データ・装置稼働状況を一元管理するITシステム。数百工程・数千台の装置を持つ半導体ファブの「神経系」であり、Applied Materials（PDC）・...

結論：CD-SEM（Critical Dimension Scanning Electron Microscope）は、半導体ウェハ上の回路線幅（CD：Critical Dimension）を電子線で精密に計測する装置。プロセス管理・歩留まり改善の要であり、日立ハイテク・Applied Materialsが世界市場を分割して...

結論：ペリクルは、フォトマスク（レチクル）表面に付着するパーティクルを光学的にデフォーカスさせてウェハへの欠陥転写を防ぐ超薄膜の保護フィルム。ArF露光用はフッ素系ポリマー、EUV用はポリシリコン薄膜（50nm以下）と材料がまったく異なり、EUV用ペ...

結論：HKMG（High-k Metal Gate：高誘電率メタルゲート）は、従来のSiO₂ゲート絶縁膜とポリシリコン電極を、High-k材料（HfO₂）とメタルゲート（TiN/TaN）に置き換えた技術。45nm世代（2007年・Intel）に初採用され、現在のすべての先端トランジスタで標準...