結論：ウェットエッチングは薬液でウェーハ表面を選択的に溶解・除去する技術、洗浄は工程間のパーティクル・汚染を除去するプロセス。等方性エッチングの特性から微細パターン形成には不向きだが、洗浄工程は前工程全体で100ステップ以上を占める最頻工程だ。
ウェットエッチングとは
ウェットエッチングは、フッ酸（HF）・塩酸（HCl）・硝酸（HNO₃）・水酸化カリウム（KOH）などの薬液にウェーハを浸漬または噴霧して、薬液と反応する材料を選択的に除去する技術だ。等方性（全方位に同じ速度でエッチングが進む）のため、パターンが側面方向にも溶けて「アンダーカット」が生じる。これにより微細パターンの形成にはRIE（ドライエッチング）が用いられるが、シリコン酸化膜（SiO₂）のHF洗浄・金属汚染除去・シリコンウェーハの表面処理など幅広い用途で使用される。
洗浄工程の種類
半導体洗浄には多様な薬液・プロセスが使用される。APM（NH₄OH/H₂O₂/H₂O）はパーティクル・有機汚染の除去に使用。HPM（HCl/H₂O₂/H₂O）は金属汚染の除去に効果的。SPM（H₂SO₄/H₂O₂）はレジスト除去・有機物除去の主役。DHF（希フッ酸）は自然酸化膜除去とSiO₂エッチングに使用。これらを組み合わせたRCA洗浄が半導体業界の標準洗浄として長年使用されている。
シングルウェーハ洗浄とバッチ洗浄
従来は複数枚のウェーハをまとめて薬液槽に浸けるバッチ洗浄が主流だったが、現在は1枚ずつ処理するシングルウェーハ洗浄（枚葉洗浄）が主流になっている。シングルウェーハ洗浄の利点は、ウェーハ間の汚染クロスコンタミを防げること、プロセス制御が精密なこと、薬液消費量を低減できることだ。メガソニック洗浄（超音波+薬液）を組み合わせることでより効果的なパーティクル除去が可能になる。
アッシングとの違い
レジスト除去工程には、プラズマを使うアッシング（ドライ除去）と薬液を使うウェットストリップ（SPM等）がある。アッシングは高速・低ダメージだが有機残渣が残ることがある。SPMはより完全な有機物除去が可能で、先端ノードではアッシング後にSPM洗浄を組み合わせるのが標準的だ。
投資・M&A視点
洗浄装置市場はScreenホールディングス（SCREENセミコンダクターソリューションズ）が世界首位で、LAM Research・TELが続く。工程数の多さから装置需要が安定しており、先端ノードへの移行で洗浄技術の高度化（EUV後洗浄、Low-k膜の選択洗浄等）が求められる。超純水・薬液サプライヤー（ステラケミファ・関東化学等）も洗浄工程の拡大で恩恵を受ける。
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