結論：ArF液浸リソグラフィは、ArFレーザー（193nm）と液浸（水）を組み合わせてNA=1.35を実現した露光技術。EUVが普及する前の7〜20nmノードを支えたコア技術で、現在もレガシーノードの主力として現役だ。
ArF液浸リソグラフィとは
通常のArF露光（ドライ露光）ではレンズとウェーハの間は空気（屈折率n=1.0）だが、液浸露光では超純水（n=1.44）を満たすことで実効NAを1.35まで高められる。レイリー条件：R = k₁ × λ / NAに従い、NA上昇は解像度向上に直結する。ドライArFのNA≈0.93に対し、液浸ArFでは実効的に波長を193/1.44≈134nmに短縮したのと等価な解像度が得られる。この技術革新でEUV登場前の45〜7nmノードをカバーできた。
マルチパターニングとの組み合わせ
1回の液浸ArF露光では14nm以降の解像度に限界があるため、マルチパターニング（SADP・SAQP等）と組み合わせてパターンを分割露光する手法が発展した。SADP（Self-Aligned Double Patterning）は1回露光→スペーサー形成→コア除去の3工程でピッチを半減させる技術。工程数が増えるためコスト・スループット面でEUVへの移行動機になった。現在でも20〜28nmノードではArF液浸+マルチパターニングが最もコスト効率が高い。
装置メーカーとASMLの優位性
ArF液浸スキャナー市場はASML・Nikon・Canonの3社が競合する。EUV機と異なりNikonもASML同等クラスのArF液浸機（NSR-S635E等）を供給しており、特定のアプリケーションではNikonが競争力を持つ。しかし高NA（NA=1.35）の最先端ArF液浸機はASMLのTwinScan NXTシリーズが主流。装置単価は約50〜100億円で、EUV機（400億円超）より低コストなため、成熟ノード投資ではArF液浸機の需要は依然旺盛だ。
EUVとの使い分け
EUVが普及した現在でもArF液浸は完全には代替されていない。最先端層（ゲート・FinFET・GAA）にはEUVが必須だが、ビア・コンタクト・一部メタル層にはArF液浸の方がコスト効率が高い。1枚のウェーハに露光ステップは数十〜100以上あり、そのうちEUVは数ステップ、残りはArF液浸が担うのが現実だ。TSMCの2nmプロセスでさえ全露光ステップの7〜8割はArF液浸が担当している。
投資・M&A視点
ArF液浸市場は成熟しているが、中国向け需要（先端EUVが輸出規制の中、ArF液浸で対応）で新たな需要が生まれている。NikonはArF液浸スキャナーの中国販売拡大が業績を下支えしている。M&A視点では、ArF液浸レジスト（JSR・信越化学・東京応化）、ArFレーザー光源（Gigaphoton・Cymer）のサプライヤーが安定収益源として注目される。
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