結論：マルチパターニングは、ArF液浸露光の解像限界を超えた微細パターンを複数回の露光と加工で実現する技術。EUVが普及した現在も組み合わせて使用されており、工程数増加によるコスト上昇が継続的な課題となっている。
なぜマルチパターニングが必要か
ArF液浸リソグラフィの限界解像度は約40nmだが、最先端プロセスでは10nm以下のパターンが必要だ。この「物理的な限界」を超えるために、パターンを分割して複数回に分けて露光・エッチングする方法が開発された。
- ダブルパターニング（DP）：1パターンを2回の露光＋エッチングで形成。22nm〜14nm世代
- SADP（自己整合ダブルパターニング）：スペーサーを利用し1回の露光から2倍の密度を形成。14nm〜7nm世代
- SAQP（自己整合クワドラプルパターニング）：SADPをさらに倍にして4倍密度。7nm世代以降
コストと工程数の問題
マルチパターニングは工程数が増えるほどコストが上昇し、オーバーレイ（重ね合わせ）誤差の累積リスクも高まる。QualcommがSADPで製造した7nmチップは製造コストが、EUVで作った5nmチップより高くなる場合もあった。EUV普及の最大のドライバーは「マルチパターニングの工程削減によるコスト・品質改善」だ。
投資・M&A視点
マルチパターニングの工程増は、エッチング装置（Lam Research・TEL）や計測装置（KLA）の需要を増やす。1露光あたりの支援装置需要が倍増するため、これらの装置メーカーにとって利益の源泉でもある。EUVへの移行でもマルチパターニングは完全には消えず、EUV＋ダブルパターニングの組み合わせが2nm世代以降でも使われる。
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