結論：スキャナー（露光装置）は、フォトマスクのパターンを縮小投影してウェーハに焼き付ける半導体前工程の核心装置。ASML・Canon・Nikonが競合するが、EUV機はASMLが世界で唯一の供給元として独占する。
スキャナーとステッパーの違い
露光装置は、フォトマスク（レチクル）に描かれた回路パターンを光で縮小投影し、レジスト塗布済みウェーハに焼き付ける装置だ。かつては「ステッパー」（1ショットずつ露光して移動）が主流だったが、現在はウェーハをスキャンしながら露光する「スキャナー」が主流。スキャナーはステッパーより大きい露光野をカバーでき、スループットが高い。現在「ステッパー」と呼ばれる装置のほとんどは実際にはスキャナー方式を採用している。
光源の種類と波長
露光波長によって使用される光源が異なる。KrF（248nm）は90nm世代まで主流で現在もレガシーノードで使用。ArF（193nm）は65nm〜7nm前後まで対応し、液浸（ArF-i）では波長を実効134nmまで短縮可能。EUV（13.5nm）は5nm以降の最先端ノードに必須で、ArFより大幅に短い波長で1回露光でより細いパターンを形成できる。現在のArFマルチパターニングから移行することでスループット向上とコスト低減が期待される。
NA（開口数）と解像度の関係
解像度はレイリー条件：R = k₁ × λ / NAで決まる。NA（Numerical Aperture：開口数）を大きくするか波長λを小さくすることで解像度が上がる。ArF液浸ではNA=1.35が物理的上限。EUVではNA=0.33（現行）から0.55（High-NA）へ進化中。High-NA EUVはASMLのEXE機として2025年以降に量産投入予定で、2nm以降の最先端ノードを支える中核技術となる。
ASML独占の構造とサプライチェーン
EUV露光装置はASMLが世界唯一の供給元で、装置1台の価格は約400億円超。主要部品は光源（Cymer：ASML子会社）、精密ミラー（Carl Zeiss：ASML筆頭株主）、フレーム構造（ASML）で構成される。EUV機の輸出はオランダ政府の管理下にあり、中国への輸出は制限されている。ArF液浸機ではNikonとCanonも競合するが、EUVではASMLが完全独占体制を維持している。
投資・M&A視点
ASML株は「半導体業界への上場ETF」と称されるほど戦略的重要性が高い。EUV機の受注残（バックログ）は数兆円規模で、前工程投資が増えるほど業績が上がる構造。AI・HPC向けチップ需要の拡大が直接的なドライバーになる。M&A分析上、装置メーカーの中でも最高の参入障壁を持つ企業の一つであり、Carl ZeissやCymer等のサプライヤー企業もASMLとの関係を通じて高収益を維持している。
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