半導体用語集– category –

この記事の要点HKMGの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、性能、消費電力、信頼性、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論：HKMG（High-k Metal Gate：高誘電率メタルゲート...

この記事の要点トランジスタ形成、接続、配線形成に製造工程を分けて理解する枠組みです。比較では、微細化、配線抵抗、接触抵抗、工程数、歩留まりを確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：FEOL（Front End of Line）...

この記事の要点プラズマや反応性ガスで不要なフォトレジストを除去する工程です。比較では、除去速度、残渣、下地損傷、均一性、薬液使用量を確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：アッシング（Ashing）は、エッチング...

結論：RIE（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）は、プラズマ中の反応性イオンと化学ラジカルを組み合わせてシリコン・絶縁膜・金属薄膜を精密に除去するドライエッチング技術。物理的エッチング（イ […]

結論：ペリクルは、フォトマスク（レチクル）表面に付着するパーティクルを光学的にデフォーカスさせてウェハへの欠陥転写を防ぐ超薄膜の保護フィルム。ArF露光用はフッ素系ポリマー、EUV用はポリシリコン薄膜（50nm以下）と材 […]

結論：イオン注入は、高速に加速したイオン（ドーパント）をシリコン基板に打ち込み、半導体の電気的特性を制御する工程だ。トランジスタのソース・ドレイン形成やウェル形成に必須であり、前工程の中でもデバイス性能を左右する重要プロ […]

結論：ALDは、1原子層ずつ精密に薄膜を堆積する成膜技術。2nm以降の最先端プロセスでHigh-k膜・バリア層・シード層の形成に不可欠であり、装置市場はASM International・Applied Material […]

この記事の要点複数回の露光・成膜・エッチングで単一露光の解像限界を超える微細加工です。比較では、重ね合わせ、工程数、CD均一性、欠陥、コストを確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論：マルチパターニングは、ArF...

結論：レチクル（フォトマスク）は、露光装置がウェハに転写する回路パターンが描かれたガラス基板。EUVレチクルは反射型構造で1枚数百万ドルに達し、AGC・SKCソルミックスなどがマスクブランクスを供給する。 レチクルとは何 […]