メモリニュース– category –
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【2026年9月】iPhone 18は10〜20%値上げへ、メモリ原価は前年比約400%──AI需給の逼迫がついに消費者に転嫁される
結論：AIデータセンターが吸い上げたメモリ需給の逼迫が、ついに一般消費者の店頭価格に届いた。TrendForceが2026年9月3日に公表したスマートフォン産業調査によれば、iPhone 18シリーズの256GB Proモデルにおける2026年第3四半期のメモリコストは、前年同... -
【2026年9月】エンタープライズSSDが1四半期で2倍・375億ドルへ──NANDは「余り物商材」からAIインフラの予約席になった
結論：データセンター向けエンタープライズSSDの上位5社合計売上が、2026年第2四半期に375.9億ドル・前四半期比+103.6%と、わずか3カ月で倍増した。1Q26の184.6億ドルからの倍増である。これは「SSDがよく売れた」という話ではない。NANDフラッシュが、PC... -
【2026年9月】サムスンがHBM5・zHBMのロードマップ開示──メモリは「AIチップの隣」から「上」へ移る
結論：2026年9月1日、SEMICON Taiwan 2026でサムスン電子が示した次世代メモリのロードマップは、単なる性能向上の予告ではない。HBM5でHBM4E比2倍、zHBMで同8倍という数字の背後にあるのは、「メモリをAIアクセラレータの隣に並べる」という10年来の実装... -
【2026年8月】サムスン、汎用メモリ後工程をベトナムへ移管検討──HBMが「後工程の床」を奪い始めた構造
結論：サムスン電子が、韓国国内で担ってきた汎用DRAM・NANDのパッケージング／テスト（後工程）の一部をベトナムへ移す検討に入ったと報じられた。これは人件費削減の話ではない。国内の後工程ラインをHBM専用に空けるための「席替え」であり、メモリ産業... -
【2026年8月】クアルコム「HBC」にサムスン・SK hynixが参画──HBMを迂回するAIメモリが開く「第二の市場」の構造
結論：クアルコムが提唱するAIメモリ構造「HBC（High Bandwidth Compute）」に、サムスン電子とSK hynixが本格参画したと報じられた。これは新技術のニュースにとどまらない。AIアクセラレータのメモリが「HBM一本足」から分岐し、LPDDRという汎用メモリが... -
【2026年8月】SK hynix、サンノゼでHBM共同設計チームを拡大──メモリが「規格品」から「顧客専用設計品」へ変わる構造
結論：SK hynixが米カリフォルニア州サンノゼで拡大しているのは、営業拠点でも現地サポート部隊でもなく「HBMのベースダイ設計チーム」である。報道ベースでは年収15万〜26万ドルを提示し、DRAM／HBMアーキテクチャに加えて、フルカスタムとデジタルの協... -
【2026年8月】SK hynix、インディアナHBM後工程ファブ起工──40億ドルが引き直す「工程の国境」の構造
結論：SK hynixが2026年8月27日（米国現地時間）にインディアナ州ウェストラファイエットで起工したのは、ウェハを作る「前工程ファブ」ではなく、HBMを積み上げる「後工程＝アドバンスト・パッケージング工場」である。投資額は40億ドル超、クリーンルー... -
【2026年8月】キオクシア＋サンディスク、日本に5兆円超投資──北上第3工場1.8兆円が示す「NANDのデータセンター化」の構造
結論：キオクシアとサンディスクが日本国内に6年間で5兆円超を投じる。うち1.8兆円は北上（岩手）の第3工場に集中し、そこで作られるのはスマホ向けではなくAIデータセンター向けの高密度3D NANDである。これは「増産のニュース」ではなく、日本のNAND生産... -
【2026年8月】サムスン、汎用メモリ後工程をベトナム移管へ検討──国内をHBM専用に組み替える「後工程争奪」の構造
結論：サムスン電子が、韓国国内（天安・温陽）で担ってきた汎用DRAM・NANDのパッケージング／テスト工程をベトナムへ移す検討に入ったと報じられた。これは人件費最適化の話ではない。国内の後工程ラインと専用装置をHBM（広帯域メモリ）の積層工程に明け... -
【2026年8月】Xiaomi「XRING O3」がTSMC 3nm＋CXMT製LPDDR6で登場──中国が埋めた自立の穴と、残った一点の構造
結論：Xiaomiが8月24日に発表したスマートフォン向けSoC「XRING O3」は、TSMCの3nm（N3P）で製造され、中国CXMT製と報じられるLPDDR6を世界で初めて搭載した。見出しは「世界初のLPDDR6対応」だが、構造的に重要なのはそこではない。中国の半導体自立が「...