【2026年10月】Samsung、NVIDIAのカスタムHBMでTSMC 3nmを採用と報道──HBMの競争軸が「ベースダイを含む供給網の標準化」へ移る構造

結論：韓国紙Seoul Economic Dailyは2026年10月18日、Samsung ElectronicsがNVIDIAのカスタムHBM「NVHBM」のベースダイ（土台となる論理チップ）の製造にTSMCの3nmプロセスを使う方針だと報じた。Reutersも後追いで伝えているが、いずれも業界関係者を情報源とする報道ベースの内容で、Samsung・TSMC・NVIDIAの公式な確認は現時点で見当たらない。重要なのは「誰が勝った・負けた」ではなく、HBMの競争軸が「メモリ単体の性能」から「ベースダイを含む供給網の標準化」へ移りつつある点である。

報道の中身：何が決まったとされるのか

報道によると、NVIDIAは8月に発表したNVHBMについて、供給候補であるSamsung、SK hynix、Micronの3社に対し、ベースダイをTSMCの3nmで製造し、コアダイ（DRAMセル部分）は第6世代の1cプロセスに統一するよう求めたという。NVHBMはHBM4E（第7世代HBM）のアーキテクチャを土台に、NVIDIA独自のメモリコントローラをベースダイに載せる設計とされる。

Samsungはこれまで、コアダイもベースダイも自社で作る「ターンキー」方式を強みにしてきた。報道では、同社のDS部門が社内検討の末にNVIDIAの要件を受け入れたとされる。一方で、標準のHBMやAMDなど他顧客向けのカスタムHBMでは従来のターンキーを維持し、自社4nmファウンドリでベースダイを作る体制は続ける。TSMCの生産能力がNVHBM需要に追いつかない場合に備え、自社ファウンドリでも製造できるか検証しているとの関係者談も伝えられている。

なお、SK hynixとMicronの対応について、報道は両社の反応を載せていない。生産開始時期や数量、価格といった条件も明らかになっていない。

構造的に何が起きているか：ベースダイが「差別化の場」になる

HBMはDRAMを積層したコアダイと、その下でGPUとの通信を担うベースダイで構成される。従来はベースダイもメモリメーカーが自社工程で作るのが一般的だったが、HBM4世代以降は顧客ごとのカスタム機能をベースダイに載せる流れが強まっている。ベースダイが先端ロジックになるほど、メモリメーカーの工場だけでは足りず、ファウンドリの先端プロセスが必要になる。

NVIDIAの狙いは、供給各社でばらつく製造方法をそろえ、性能の一貫性を確保しつつ、サプライヤーごとの検証コストを下げることだと報じられている。言い換えれば、NVIDIAがHBMの「仕様の主導権」を、メモリメーカーから自社側へ引き寄せる動きである。HBMの価格面では、TrendForceが2027年のHBM平均単価を前年比121%上昇と予測しており、HBMと汎用DRAMの価格構造を扱った過去記事でも触れたとおり、HBMは供給側が価格を主導する市場になっている。その市場で、仕様まで買い手が握ることになる点が構造上の変化である。

各社への影響：TSMCの影響力が一段と広がる

最も分かりやすいのはTSMCである。同社は7〜9月期に過去最高の売上を記録しており、先端ロジックとCoWoSに加え、HBMのベースダイという新たな需要の入口を得る可能性がある。ただし8インチを含む供給逼迫と値上げの議論が示すとおり、TSMCの生産能力そのものが制約になり得る。報道にある「自社ファウンドリでの代替検証」は、この制約への保険と読める。

Samsungにとっては、ファウンドリ事業の顧客獲得という点では限定的な追い風にとどまる。ベースダイをTSMCに外注すれば、ターンキーの一体運営という差別化が一部薄れる。それでも、最大顧客の要求に応じることでHBM4E世代の採用を確保する実利は大きい。同社の収益構造はメモリ価格が牽引する供給主導の局面にあり、HBMでの地位維持は優先度が高い。

メモリ3社の差別化余地も変わる。ベースダイとコアダイの仕様がそろえば、競争は歩留まり、積層技術、パッケージ品質、供給量へ寄る。MicrosoftのMaia 300がHBM4を8スタック搭載する事例のように、顧客側のカスタム化が進むほど、メモリメーカーは「部品供給者」から「仕様に合わせる製造パートナー」へ位置づけが変わりやすい。

今後の注目点：確認されるべき論点

第一に、公式確認の有無である。今回は匿名の業界関係者に依拠した報道であり、SamsungやTSMC、NVIDIAの発表、あるいは決算説明会での言及が確認の機会になる。第二に、SK hynixとMicronが同じ要件を受け入れるかどうかである。第三に、TSMC 3nmの割り当て規模が、NVHBMの立ち上がり速度を左右する点である。装置面では、ASMLが2026年の売上見通しを3度目に上方修正した動きが示すように、先端工程の供給余力そのものが業界全体の制約になっている。

半導体業界の企業分析やM&A、新規参入を検討する立場では、HBMを「メモリの一製品」ではなく「ロジックとメモリの境界が溶ける領域」として捉え直す必要がある。ベースダイ、パッケージ、テストといった工程のどこに価値と制約が移るかが、投資や提携の判断軸になる。

出典：Seoul Economic Daily「Samsung to Use TSMC for Base Die in Nvidia’s Custom HBM」（2026年10月18日）／The Star（Reuters配信）「Samsung to use TSMC technology for Nvidia’s next-generation memory chips, Seoul newspaper reports」（2026年10月18日）。本文中の内容は上記報道に基づく報道ベースの情報であり、各社の公式確認は得られていない。