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結論：韓国の李在明大統領は2026年6月29日、サムスン電子の李在鎔会長、SKグループの崔泰源会長を伴って800兆ウォン（約84兆円、520億ドル）規模の半導体・AI国家投資計画を発表した。サムスンとSK hynixが南西部・光州近郊にそれぞれ2カ所ずつ、計4つの新...

結論：2026年6月24日に発表されたMicron（マイクロン）の四半期決算（2026会計年度第3四半期）は、単なる「過去最高益」では片づけられない。売上高は前年同期比346%増の415億ドル、粗利益率は84.9%と、これまで好不況の波に翻弄され続けてきたメモリ業界...

結論：米メモリ大手Micron（マイクロン）が、日本時間6月25日未明（米6月24日の取引終了後）に2026会計年度第3四半期（3〜5月期）決算を発表する。市場が注視するのは数字の大小そのものではない。AIブームで沸くメモリ市場の好況が、一過性の「循環（サイ...

結論：米メモリ大手のMicron（マイクロン・テクノロジー）が6月24日（米国時間）に発表した2026会計年度第3四半期（3〜5月期）決算は、売上高415億ドル（約6兆円超）と前年同期の93億ドルから約4.5倍に急増し、四半期として過去最高を更新した。さらに次の...

結論：AI向けの広帯域メモリ（HBM）が半導体産業の利益を一手に吸い上げる裏で、社会インフラを静かに支える「レガシーメモリ」が深刻な供給不足に陥っている。市場調査会社TrendForceは2026年6月16日、NOR FlashとSLC NANDの契約価格が2026年上半期（1H26...

結論：2026年6月、次世代AIメモリ「HBM4E」の試作品（サンプル）出荷競争が一気に本格化した。5月下旬にSamsungが業界に先駆けて12層HBM4Eサンプルを主要顧客へ出荷し、6月18日にはSK hynixがこれに続いた。両社とも最大16Gbps/ピン、前世代比で20%以上の...

結論：SK hynixは2026年6月18日（韓国時間）、次世代AI向けDRAM「HBM4E」の12層サンプルを主要顧客に出荷したと発表した。最大16Gbps/ピンの速度と20%超の電力効率改善を打ち出した格好だが、本質はスペックそのものではない。ライバルSamsungの「世界初」...

結論：AI半導体の好況が、思わぬ場所で「副作用」を生んでいる。2026年6月、車載向けDRAMの価格が直近3カ月で約180%上昇したと報じられ、中国のEVメーカーが1台あたり最大6,000元の値上げに踏み切った。原因はAIデータセンター向けメモリ（HBM）への生産シ...

結論：2026年3月のDRAM汎用品の大口取引価格は約1年ぶりの横ばいで決着し、急騰への一服感が出ている。しかしこれはメモリ市場の正常化ではない。Samsung・SK hynix・Micronの3社がHBM（高帯域幅メモリ）という高収益品への生産シフトを加速させた「構造的...

結論：Samsungは2026年4月30日、2026年1〜3月期（Q1）決算を発表した。売上高133.9兆ウォン、営業利益57.2兆ウォンと過去最高水準を記録。このうち半導体部門だけで営業利益53.7兆ウォンを稼ぎ出した。AI向けHBMとDRAM価格の急騰が収益を押し上げており、S...