メモリニュース– category –
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【2026年9月】大容量NOR Flashが下期90〜110%高へ──AIが成熟ノードを奪う「二極化」の構造
結論：AI投資の本丸はHBMと先端3D NANDだが、その副作用はいま「車載・産業向けの地味なメモリ」に噴き出している。TrendForceが2026年9月14日に公表した調査によれば、大容量NOR Flashの契約価格は2026年下期に90〜110%上昇する見通しだ。一方で小容量品... -
【2026年9月】キオクシアが米国ADRで100億ドル調達検討──NANDが再び「資本の産業」に戻る構造
結論：キオクシアが検討していると報じられた「最低100億ドル規模の米国ADR上場」は、単なる資金調達の話ではない。NANDメモリという事業をどの市場のルールで評価してもらうかを選び直す動きである。AI投資がメモリ産業全体を再び資本集約型へ押し戻すな... -
【2026年9月】NVIDIAがHBM4を「12段」から「8段」へ分散──積層競争が熱と供給で折り返す構造
結論：NVIDIAがHBM4の調達構成を「12段（12-Hi）一辺倒」から「8段（8-Hi）併用」へ広げつつあると報じられている。一見すると性能を落とす後退に見えるが、構造的には逆だ。積層数を競う段階が終わり、熱・歩留まり・供給量の三つで最適点を取りに行く段... -
【2026年9月】CXMTの営業利益率82%がSK hynixを上回った──韓国勢のHBM特化が生んだ「汎用DRAMの空白」
結論：中国CXMT（長鑫存儲）の2026年4〜6月期の営業利益率は82%となり、SK hynixの76%、Samsung電子の70%を上回った（日本経済新聞によるメモリ6社の決算分析、9月11日報道）。ただしこれは「中国が技術で韓国を追い抜いた」話ではない。韓国勢がHBMに生産... -
【2026年9月】MicronがHBM月産10万枚へ倍増──HBM競争の軸は「技術」から「能力の絶対量」に移った
結論：Micronが2026年末までにHBM（広帯域メモリ）の月産能力を約10万ウェーハへ倍増させると報じられた。これは「HBM4でようやく技術的に追いついた」という話ではない。HBM競争の勝敗を決める変数が、積層数やバンド幅といった性能指標から、生産能力の... -
【2026年9月】CXMT「合肥プロジェクト」が法廷で露出──620工程のレシピが中国DRAMシェア10%を作った
結論：中国DRAM最大手CXMT（長鑫存儲）が2016年の設立直後から「合肥プロジェクト」と呼ばれる文書化されたロードマップを持ち、Samsung ElectronicsのDRAM製造レシピ「PRP（Process Recipe Plan）」620工程の取得と技術者の引き抜きを、月単位の工程表と... -
【2026年9月】韓国電力、SamsungとSK hynixに電気代25兆ウォン前払いを要請──メモリ増産の制約は「電力インフラの資金繰り」へ
結論：韓国電力公社（KEPCO）が、Samsung ElectronicsとSK hynixに対して合計25兆ウォン（Samsung 20兆ウォン、SK hynix 5兆ウォン）の電気料金前払いを打診したと報じられた。額面は「電気代の前払い」だが、経済的な実態は半導体メーカーが自社ファブ向... -
【2026年9月】SK hynixの「米国製HBM」は前工程を伴わない──インディアナ着工が映すメモリ供給網の二層化
結論：SK hynixが2026年8月末に米インディアナ州で着工したHBM拠点は、約40億ドルを投じる大型投資でありながら、DRAMウェハを作る「前工程」を含まない。担うのは積層・接続・テストといった後工程（先端パッケージング）とR&Dであり、「Made in USA... -
【2026年9月】世界半導体売上が上期7,020億ドル・前年比102%増──「メモリ305%増」が示す価値配分の反転
結論：2026年上期（1〜6月）の世界半導体売上は7,020億ドル、前年同期比102%増となり、半年で2025年通年（7,956億ドル）の約88%に達した。ただしこの「倍増」は産業全体が均等に膨らんだ結果ではない。メモリが305%増、ロジックが45%増という極端な非対称... -
【2026年9月】マイクロン、HBM生産能力を年内2倍・月産10万枚へ──競争軸は「技術差」から「ウエハ枠の奪い合い」に移った
結論：マイクロンが2026年内にHBM（広帯域メモリ）の生産能力を約2倍、月産10万枚規模まで引き上げると報じられた。ここで押さえるべきは「1社の増産」という話ではない。HBM競争の主戦場が、誰が速いHBMを作れるかという技術差から、誰がウエハ枠と後工程...