製品・デバイス|何を作っているか– category –
製品・デバイス|何を作っているかでは、半導体メーカーが製造する代表的なデバイスと、それぞれが電子機器の中で担う役割を解説します。CPU、GPU、NPU、MCU、ASIC、FPGAなどのロジック半導体、DRAM、NAND、HBMなどのメモリ、アナログIC、パワー半導体、RFデバイス、イメージセンサ、MEMS、LEDを用途別に整理します。CMOS、MOSFET、IGBT、SiC、GaNなどの構造や材料の違いに加え、性能、消費電力、帯域、耐圧、発熱、コストといった評価軸も紹介。スマートフォン、車載、産業機器、通信、AIデータセンターでどの製品が使われるのかを結び付け、半導体の種類と市場を理解するための入口となるカテゴリーです。製品名だけでなく、内部構造、製造技術、主要企業、用途、市場性の関係も押さえ、半導体製品を比較するための基礎を身につけられます。
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先端実装・チップレット
バンプ・マイクロバンプとは?チップ接続を担う微細突起電極の技術と市場【2026年版】
結論:バンプはチップと基板・インターポーザを電気的につなぐ微細な突起電極。はんだバンプ(100μm級)からマイクロバンプ(40〜10μm)へ微細化が進み、その先はバンプレスのハイブリッドボンディングに行き着く。バンプ形成はめっき装置・材料の重要市場... -
先端実装・チップレット
インターポーザとは?CoWoSを支えるAI半導体の中間基板【2026年版】
結論:インターポーザは、GPUとHBMなど複数のチップを高密度配線で結ぶ「中間基板」。TSMCのCoWoSに使われるシリコンインターポーザがAI半導体の標準となり、その生産能力がAIチップ供給のボトルネックとなってきた。低コスト化に向けガラス・有機材料への... -
先端実装・チップレット
FOWLP・FOPLPとは?TSMCのInFOが切り拓いたファンアウトパッケージ【2026年版】
結論:FOWLP(Fan-Out Wafer Level Packaging)は、チップの外側まで配線を「扇状に広げる」ことでパッケージ基板なしに多ピン化を実現する技術。TSMCのInFOがiPhone向けAPで量産化し先端パッケージの主役となった。パネルで大面積化するFOPLPはコスト競争... -
先端実装・チップレット
ハイブリッドボンディングとは?HBM・3D積層の限界を突破するCu-Cu直接接合【2026年版】
結論:ハイブリッドボンディングは、はんだバンプを使わずCu(銅)パッド同士を直接接合する次世代チップ接続技術。接続ピッチを10μm以下に微細化でき、TSMCのSoICやHBM4以降の積層で本命視される。装置ではBESIとApplied Materialsの共同開発体制が先行す... -
製品・デバイス|何を作っているか
シリコンにおけるボロン(B)ドーピングと電気抵抗率(ρ)の関係|抵抗率が決まる仕組みをわかりやすく解説
結論:シリコンにボロン(B)をドーピングすると、シリコンはp型半導体となり、ボロン濃度が高くなるほど電気抵抗率(ρ)は低下する。抵抗率はシリコンウェハやインゴットの品質管理における重要指標であり、半導体デバイスの特性・歩留まり・プロセス条件... -
半導体デバイス・回路
RISC-Vとは?Armに挑むオープンISAが半導体業界を揺るがす理由【2026年版】
結論:RISC-Vはロイヤリティフリーのオープンソース命令セットアーキテクチャ(ISA)。Arm・x86が支配するプロセッサ市場に新たな選択肢を提供し、IoT・エッジAI・中国の国産半導体推進で急速に採用が広がっている。RISC-Vとは何かRISC-V(リスクファイブ... -
半導体デバイス・回路
FPGA・ASICとは?プログラマブルと専用設計——AI時代の半導体選択【2026年版】
結論:FPGA(Field-Programmable Gate Array)は出荷後でも機能を書き換え可能なプログラマブル半導体、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)は特定用途向けに最適化した専用設計チップ。AI推論・通信・データセンターで両者の使い分けと優劣... -
半導体デバイス・回路
GaNパワー半導体とは?5G・急速充電・EV電源を支えるワイドバンドギャップデバイス【2026年版】
結論:GaN(窒化ガリウム)はSiより高いバンドギャップを持つワイドバンドギャップ半導体。高周波・高効率スイッチングデバイスとして5G基地局のRFパワーアンプ・急速充電アダプター・データセンター電源に急速普及しており、SiCと並ぶ次世代パワー半導体... -
メモリ・ロジック半導体
3D NANDとは?フラッシュメモリを垂直積層して容量を増やす技術【2026年版】
結論:3D NANDはフラッシュメモリセルを垂直方向に積層した不揮発性メモリ技術。平面(2D)NANDの微細化限界を突破し、スマートフォン・SSD・データセンターストレージの容量増大を実現している。Samsung・SK Hynix・Kioxia・WDC・Micronが競争する市場だ...