半導体とは– category –

結論：低k膜（Low-k誘電体）は層間絶縁膜（ILD）の誘電率kを下げてRC遅延と消費電力を低減する材料技術。7nm以降の先端ノードでは多孔質Low-k（k≈2.0以下）やエアギャップ構造が必須となり、成膜・CMP・信頼性の管理が高度化している。 低k膜が必要な理由 ...

結論：FDC（Fault Detection and Classification）とは、半導体製造装置のリアルタイムデータを監視して異常を自動検知・分類するシステム。歩留まり損失の早期発見と装置ダウンタイム削減の要で、KLA・Applied Materials・Onto Innovationが主要プレイヤ...

結論：ウェットエッチングは薬液でウェーハ表面を選択的に溶解・除去する技術、洗浄は工程間のパーティクル・汚染を除去するプロセス。等方性エッチングの特性から微細パターン形成には不向きだが、洗浄工程は前工程全体で100ステップ以上を占める最頻工程...

結論：ArF液浸リソグラフィは、ArFレーザー（193nm）と液浸（水）を組み合わせてNA=1.35を実現した露光技術。EUVが普及する前の7〜20nmノードを支えたコア技術で、現在もレガシーノードの主力として現役だ。 ArF液浸リソグラフィとは 通常のArF露光（ドラ...

結論：SECS/GEMとは半導体製造装置と上位システム（MES）の通信を標準化したSEMI国際規格プロトコル。多ベンダー混在環境の工場でも設備間データ収集・制御を一元化でき、APC・FDC・スマートファブの基盤技術だ。 SECS/GEMとは何か SECS（SEMI Equipment C...

結論：EM耐性（エレクトロマイグレーション耐性）はCu配線の長期信頼性を決定する指標、RC遅延は配線抵抗と寄生容量による信号遅延。先端ノードの微細化でRC遅延がトランジスタ遅延を超え、配線がチップ性能のボトルネックになっている。 EM耐性（エレクト...

結論：スキャナー（露光装置）は、フォトマスクのパターンを縮小投影してウェーハに焼き付ける半導体前工程の核心装置。ASML・Canon・Nikonが競合するが、EUV機はASMLが世界で唯一の供給元として独占する。 スキャナーとステッパーの違い 露光装置は、フォ...

結論：電解めっきは、電気化学反応を利用してCuイオンをトレンチ・ビアホールに均一に埋め込む成膜技術。ダマシンCu配線形成の核心工程であり、LAM Research（Sabre）・Applied Materials（Raider）が装置市場を独占する。添加剤制御によるボトムアップ埋...

結論：真空ポンプは、CVD・PVD・エッチング・イオン注入など半導体製造装置のチャンバーを高真空状態（10⁻⁶ Pa以下）に保つインフラ機器。サブファブ（製造フロア下階）に設置され、Edwards（Atlas Copco傘下）・アルバック（ULVAC）・Pfeiffer Vacuumが主...

結論：欠陥検査は、半導体ウェハ上のパーティクル・パターン欠陥・異物を光学系または電子線（e-beam）で検出する工程。製造歩留まりを守る「番人」であり、KLA Corporation（米）が検査装置市場で世界シェア50%以上を独占する。 欠陥検査とは何か・なぜ重...