製造プロセス|どう作るか– category –
製造プロセス|どう作るかでは、原料からシリコンウェハを作り、微細なトランジスタと多層配線を形成し、パッケージへ仕上げるまでの半導体製造工程を俯瞰します。前工程では、洗浄、酸化、成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン注入、アニール、CMP、配線形成を整理。後工程では、ウェハテスト、ダイシング、ボンディング、モールド、パッケージ検査までを紹介します。各工程で使われる装置、材料、薬液、ガス、計測技術と、CD、オーバーレイ、欠陥、歩留まり、スループットなどの管理指標も解説。FEOL・MOL・BEOLのつながりや、微細化・3D化で増える工程数と難しさを理解し、半導体がどのように量産されるのかを基礎から学べるカテゴリーです。工程ごとの目的と前後関係を図解的に捉えられるようにし、ニュースに登場する先端プロセス技術も基本工程とのつながりから説明します。
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前工程・ウェハプロセス
KrFリソグラフィとは?248nm露光が成熟ノードを支える仕組みと用途を解説
KrFリソグラフィは、波長248nmのクリプトンフッ素エキシマレーザーを光源に使う露光技術です。ArFやEUVより古い世代ですが、成熟ノード、メモリの一部レイヤー、パワー半導体、各種周辺回路で現在も広く利用されています。 -
前工程・ウェハプロセス
ペリクルとは?フォトマスクを異物から守る薄膜とEUVでの課題を解説
ペリクルは、フォトマスクやレチクルの表面から一定距離を置いて張る透明な保護膜です。異物がマスク面へ直接付着するのを防ぎ、付着物を投影光学系の焦点から外すことでウェハへの欠陥転写を抑えます。 -
前工程・ウェハプロセス
半導体の露光とは?フォトリソグラフィで回路パターンを転写する仕組みを解説
露光は、フォトレジストを塗布したウェハへ光を照射し、フォトマスクやレチクル上の回路パターンを転写する工程です。半導体の線幅と位置精度を決めるフォトリソグラフィの中心工程で、KrF、ArF、EUVなどの光源が世代に応じて使い分けられます。 -
製造プロセス|どう作るか
DFT(テスト容易化設計)とは?数十億トランジスタを検査可能にする設計技術【2026年版】
この記事の要点DFT(テスト容易化設計)の仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、測定精度、テスト時間、カバレッジ、並列性、温度条件、再現性を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論:DFT(Design for Test:... -
製造プロセス|どう作るか
High-NA EUVとは?1台5億ユーロ・ASML独占の次世代露光装置【2026年版】
この記事の要点開口数を高めてEUV露光の解像力を向上させる次世代リソグラフィ技術です。比較では、NA、解像度、露光フィールド、重ね合わせ、スループット、導入費を確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。結論:High-N... -
製造プロセス|どう作るか
SLT(システムレベルテスト)とは?AI半導体で急拡大する実動作テスト【2026年版】
この記事の要点最終製品に近い環境で半導体の機能・安定性を確認するテストです。比較では、テスト時間、並列数、発熱、故障検出率、ハンドリングを確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論:SLT(System Level Test)は、... -
製造プロセス|どう作るか
テストハンドラとは?チップを高速搬送・温度制御するテスト自動化装置【2026年版】
この記事の要点テストハンドラの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、測定精度、テスト時間、カバレッジ、並列性、温度条件、再現性を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論:テストハンドラは、ファイナルテ... -
製造プロセス|どう作るか
ファイナルテストとは?出荷前最後の関門となるパッケージ品全数検査【2026年版】
この記事の要点パッケージ後の半導体を出荷前に全数検査し、機能・性能を判定する工程です。比較では、テスト時間、並列数、温度範囲、カバレッジ、良品率を確認します。代表企業、市場の金額、実務・企業分析の視点まで整理します。結論:ファイナルテス... -
製造プロセス|どう作るか
ウェーハテスト(CP)とは?ダイシング前に不良ダイを選別する検査工程【2026年版】
この記事の要点ウェーハテスト(CP)の仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、測定精度、テスト時間、カバレッジ、並列性、温度条件、再現性を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論:ウェーハテスト(CP:Circu...