製造プロセス|どう作るか– category –
製造プロセス|どう作るかでは、原料からシリコンウェハを作り、微細なトランジスタと多層配線を形成し、パッケージへ仕上げるまでの半導体製造工程を俯瞰します。前工程では、洗浄、酸化、成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン注入、アニール、CMP、配線形成を整理。後工程では、ウェハテスト、ダイシング、ボンディング、モールド、パッケージ検査までを紹介します。各工程で使われる装置、材料、薬液、ガス、計測技術と、CD、オーバーレイ、欠陥、歩留まり、スループットなどの管理指標も解説。FEOL・MOL・BEOLのつながりや、微細化・3D化で増える工程数と難しさを理解し、半導体がどのように量産されるのかを基礎から学べるカテゴリーです。工程ごとの目的と前後関係を図解的に捉えられるようにし、ニュースに登場する先端プロセス技術も基本工程とのつながりから説明します。
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製造プロセス|どう作るか
バックグラインディングとは?ウェーハを30μm台まで薄くする研削工程【2026年版】
結論:バックグラインディングは、ウェーハの裏面を研削して厚さを数百μmから数十μm(HBM用途では30μm台)まで薄くする工程。チップ積層時代の必須技術であり、研削装置はディスコ・東京精密の日本2強が支配。薄くなるほど割れやすく、搬送・保護技術が価... -
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RDL(再配線層)とは?先端パッケージの配線を担う微細再配線技術【2026年版】
結論:RDL(Redistribution Layer:再配線層)は、チップの電極位置をパッケージ都合の位置に「引き回し直す」ための薄膜配線層。WLP・ファンアウト・2.5Dパッケージの根幹技術であり、微細化(2μm以下)と多層化が先端パッケージの競争力を直接左右する。... -
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バンプ・マイクロバンプとは?チップ接続を担う微細突起電極の技術と市場【2026年版】
結論:バンプはチップと基板・インターポーザを電気的につなぐ微細な突起電極。はんだバンプ(100μm級)からマイクロバンプ(40〜10μm)へ微細化が進み、その先はバンプレスのハイブリッドボンディングに行き着く。バンプ形成はめっき装置・材料の重要市場... -
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インターポーザとは?CoWoSを支えるAI半導体の中間基板【2026年版】
結論:インターポーザは、GPUとHBMなど複数のチップを高密度配線で結ぶ「中間基板」。TSMCのCoWoSに使われるシリコンインターポーザがAI半導体の標準となり、その生産能力がAIチップ供給のボトルネックとなってきた。低コスト化に向けガラス・有機材料への... -
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ワイヤボンディングとは?K&S・ASMPTが支配するチップ接続の基本技術【2026年版】
結論:ワイヤボンディングは、金や銅の極細ワイヤでチップの電極と基板・リードフレームを一本ずつ接続する最も歴史ある実装技術。装置はK&S(Kulicke & Soffa)とASMPTの2強。フリップチップ全盛の今も、コスト優位性から全チップ実装の過半を占め続ける... -
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フリップチップとは?チップを裏返して接続する高性能実装の標準技術【2026年版】
結論:フリップチップは、チップ表面に形成したバンプ(突起電極)を下向きに裏返して基板と直接接合する実装技術。ワイヤボンディングより多ピン・高速・低インダクタンスで、CPU・GPU・スマホAPなど高性能チップの標準実装方式となっている。フリップチ... -
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FOWLP・FOPLPとは?TSMCのInFOが切り拓いたファンアウトパッケージ【2026年版】
結論:FOWLP(Fan-Out Wafer Level Packaging)は、チップの外側まで配線を「扇状に広げる」ことでパッケージ基板なしに多ピン化を実現する技術。TSMCのInFOがiPhone向けAPで量産化し先端パッケージの主役となった。パネルで大面積化するFOPLPはコスト競争... -
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ハイブリッドボンディングとは?HBM・3D積層の限界を突破するCu-Cu直接接合【2026年版】
結論:ハイブリッドボンディングは、はんだバンプを使わずCu(銅)パッド同士を直接接合する次世代チップ接続技術。接続ピッチを10μm以下に微細化でき、TSMCのSoICやHBM4以降の積層で本命視される。装置ではBESIとApplied Materialsの共同開発体制が先行す... -
製造プロセス|どう作るか
導体とは?半導体・絶縁体との違いと電気が流れる仕組みを解説
結論:導体とは、内部に電気を運ぶ自由電子が多く、電流を流しやすい物質である。銅・アルミニウム・銀などの金属が代表例で、半導体チップでは配線、電極、コンタクト、電源供給層などに使われる。導体・半導体・絶縁体の違いは、主にバンド構造と電気抵...