製造プロセス|どう作るか– category –
製造プロセス|どう作るかでは、原料からシリコンウェハを作り、微細なトランジスタと多層配線を形成し、パッケージへ仕上げるまでの半導体製造工程を俯瞰します。前工程では、洗浄、酸化、成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン注入、アニール、CMP、配線形成を整理。後工程では、ウェハテスト、ダイシング、ボンディング、モールド、パッケージ検査までを紹介します。各工程で使われる装置、材料、薬液、ガス、計測技術と、CD、オーバーレイ、欠陥、歩留まり、スループットなどの管理指標も解説。FEOL・MOL・BEOLのつながりや、微細化・3D化で増える工程数と難しさを理解し、半導体がどのように量産されるのかを基礎から学べるカテゴリーです。工程ごとの目的と前後関係を図解的に捉えられるようにし、ニュースに登場する先端プロセス技術も基本工程とのつながりから説明します。
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製造プロセス|どう作るか
バックグラインディングとは?ウェーハを30μm台まで薄くする研削工程【2026年版】
結論:バックグラインディングは、ウェーハの裏面を研削して厚さを数百μmから数十μm(HBM用途では30μm台)まで薄くする工程。チップ積層時代の必須技術であり、研削装置はディスコ・東京精密の日本2強が支配。薄くなるほど割れやすく、搬送・保護技術が価... -
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RDL(再配線層)とは?先端パッケージの配線を担う微細再配線技術【2026年版】
結論:RDL(Redistribution Layer:再配線層)は、チップの電極位置をパッケージ都合の位置に「引き回し直す」ための薄膜配線層。WLP・ファンアウト・2.5Dパッケージの根幹技術であり、微細化(2μm以下 […] -
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バンプ・マイクロバンプとは?チップ接続を担う微細突起電極の技術と市場【2026年版】
この記事の要点バンプ・マイクロバンプの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、接続密度、反り、熱抵抗、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論:バンプはチップと基板・イン... -
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インターポーザとは?CoWoSを支えるAI半導体の中間基板【2026年版】
この記事の要点複数ダイを高密度配線で接続する中間基板で、2.5D実装の帯域と面積を支える部材です。比較では、配線密度、サイズ、TSV、反り、歩留まりを確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論:インターポーザは、GPUと... -
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ワイヤボンディングとは?K&S・ASMPTが支配するチップ接続の基本技術【2026年版】
この記事の要点ワイヤボンディングの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、接続密度、反り、熱抵抗、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論:ワイヤボンディングは、金や銅の... -
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フリップチップとは?チップを裏返して接続する高性能実装の標準技術【2026年版】
この記事の要点フリップチップの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、接続密度、反り、熱抵抗、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。結論:フリップチップは、チップ表面に形成... -
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FOWLP・FOPLPとは?TSMCのInFOが切り拓いたファンアウトパッケージ【2026年版】
この記事の要点チップ外側まで再配線領域を広げ、薄型・高密度化するファンアウト実装です。比較では、パネル・ウェーハ寸法、RDL密度、反り、歩留まり、量産コストを確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。結論:FOWLP... -
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ハイブリッドボンディングとは?HBM・3D積層の限界を突破するCu-Cu直接接合【2026年版】
この記事の要点銅配線と絶縁膜を微細ピッチで直接接合する3D実装技術です。比較では、接合ピッチ、位置精度、表面平坦度、欠陥率、量産性を確認します。代表企業、市場の金額、企業分析の見方まで整理します。 結論:ハイブリッドボンディングは、はんだバ... -
製造プロセス|どう作るか
導体とは?半導体・絶縁体との違いと電気が流れる仕組みを解説
結論:導体とは、内部に電気を運ぶ自由電子が多く、電流を流しやすい物質である。銅・アルミニウム・銀などの金属が代表例で、半導体チップでは配線、電極、コンタクト、電源供給層などに使われる。導体・半導体・絶縁体の違いは、主にバンド構造と電気抵...