製造プロセス｜どう作るか– category –
製造プロセス｜どう作るかでは、原料からシリコンウェハを作り、微細なトランジスタと多層配線を形成し、パッケージへ仕上げるまでの半導体製造工程を俯瞰します。前工程では、洗浄、酸化、成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、イオン注入、アニール、CMP、配線形成を整理。後工程では、ウェハテスト、ダイシング、ボンディング、モールド、パッケージ検査までを紹介します。各工程で使われる装置、材料、薬液、ガス、計測技術と、CD、オーバーレイ、欠陥、歩留まり、スループットなどの管理指標も解説。FEOL・MOL・BEOLのつながりや、微細化・3D化で増える工程数と難しさを理解し、半導体がどのように量産されるのかを基礎から学べるカテゴリーです。工程ごとの目的と前後関係を図解的に捉えられるようにし、ニュースに登場する先端プロセス技術も基本工程とのつながりから説明します。
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CD（クリティカルディメンション）とは？半導体の線幅管理とCD-SEM測定を解説
CDはCritical Dimensionの略で、半導体パターンの性能を左右する重要寸法です。ゲート長、配線幅、スペース、ホール径など、設計と製造で厳密に管理すべき寸法を指します。 -
半導体製造装置のチャンバーとは？真空プロセス空間の構造・汚染管理を解説
チャンバーは、成膜、エッチング、アッシング、熱処理などのウェハ処理を行う密閉された反応空間です。圧力、温度、ガス、プラズマを再現性よく制御する装置の心臓部です。 -
ビアとは？半導体の上下配線層を接続する導電経路と形成工程を解説
ビアは、半導体チップの異なる金属配線層を垂直方向に接続する微細な導電経路です。層間絶縁膜へ穴を開け、銅やタングステンなどを埋め込んで形成します。 -
デュアルダマシンとは？Cu配線とビアを同時形成するBEOL工程を解説
デュアルダマシンは、層間絶縁膜に配線溝とビアホールを作り、銅を一括で埋め込んで上下接続と横配線を形成するBEOL技術です。 -
ICPエッチングとは？高密度プラズマで高速・高精度加工する仕組みを解説
ICPエッチングはInductively Coupled Plasmaを用いるドライエッチング方式です。誘導結合で高密度プラズマを生成し、プラズマ密度とウェハへ入射するイオンエネルギーを比較的独立に制御できます。 -
DRIEとは？シリコンへ深い垂直トレンチを形成する深掘りエッチングを解説
DRIEはDeep Reactive Ion Etchingの略で、シリコンへ深く高アスペクト比のトレンチやホールを形成する反応性イオンエッチング技術です。MEMS、TSV、深溝構造で使われます。 -
コンタクトホールとは？トランジスタと配線を接続する微細穴の形成工程を解説
コンタクトホールは、トランジスタのソース・ドレインやゲートと最初の配線層を電気的に接続するため、層間絶縁膜へ形成する微細な穴です。 -
活性化アニールとは？イオン注入後のドーパントを電気的に働かせる熱処理を解説
活性化アニールは、イオン注入したドーパントをシリコン結晶の置換位置へ移し、電子や正孔を供給できる電気的活性状態にする熱処理です。同時に注入で生じた結晶損傷を回復します。 -
ドライエッチングとは？プラズマで半導体パターンを垂直加工する仕組みを解説
ドライエッチングは、反応性ガスのプラズマを使って薄膜や基板を除去する加工技術です。方向性を持たせやすく、微細なライン、ホール、トレンチを垂直に形成できます。