SemiStructure｜半導体構造メディア

結論：FEOL（Front End of Line）はトランジスタを形成する工程群、BEOL（Back End of Line）はCu多層配線を形成する工程群、MOL（Middle of Line）はトランジスタと配線をつなぐコンタクト形成工程群。それぞれ異なる装置・材料が使われ、投資・M&A分析で...

結論：HKMG（High-k Metal Gate：高誘電率メタルゲート）は、従来のSiO₂ゲート絶縁膜とポリシリコン電極を、High-k材料（HfO₂）とメタルゲート（TiN/TaN）に置き換えた技術。45nm世代（2007年・Intel）に初採用され、現在のすべての先端トランジスタで標準...

結論：ペリクルは、フォトマスク（レチクル）表面に付着するパーティクルを光学的にデフォーカスさせてウェハへの欠陥転写を防ぐ超薄膜の保護フィルム。ArF露光用はフッ素系ポリマー、EUV用はポリシリコン薄膜（50nm以下）と材料がまったく異なり、EUV用ペ...

結論：マルチパターニングは、ArF液浸露光の解像限界を超えた微細パターンを複数回の露光と加工で実現する技術。EUVが普及した現在も組み合わせて使用されており、工程数増加によるコスト上昇が継続的な課題となっている。 なぜマルチパターニングが必要か...

結論：ALDは、1原子層ずつ精密に薄膜を堆積する成膜技術。2nm以降の最先端プロセスでHigh-k膜・バリア層・シード層の形成に不可欠であり、装置市場はASM International・Applied Materials・LAM Researchが支配する。 ALDとは何か ALD（Atomic Layer Depos...

結論：イオン注入は、高速に加速したイオン（ドーパント）をシリコン基板に打ち込み、半導体の電気的特性を制御する工程だ。トランジスタのソース・ドレイン形成やウェル形成に必須であり、前工程の中でもデバイス性能を左右する重要プロセスの一つである...

結論：アニール（熱処理）は、イオン注入後のシリコン格子損傷を修復し、ドーパントを活性化する工程。先端ノードではRTA（高速熱処理）やフラッシュアニールが使われ、熱拡散を最小限に抑えながら短時間で高温処理する。 アニールとは何か アニールは半導...

結論：OPC（Optical Proximity Correction：光近接効果補正）は、光の回折・干渉によってパターンが変形することを事前にマスク上で補正する技術。EDAソフトウェアの核心であり、SynopsysとSiemens EDA（旧Mentor Graphics）が市場を独占する。 光近接効果...

結論：PVD（Physical Vapor Deposition）はターゲット材料に粒子をぶつけて飛散させ、ウェハ上に金属薄膜を形成する技術。Cu配線のバリア層・シード層・メタルゲート電極など金属薄膜形成の主力技術であり、Applied Materialsが装置市場を独占する。 PVDと...

結論：STI（Shallow Trench Isolation：浅溝素子分離）は、シリコン基板に浅いトレンチ（溝）を彫り、絶縁体（SiO₂）で埋めてトランジスタ間を電気的に分離する技術。0.35μm世代以降の標準プロセスであり、現在の先端ノードまで使われている。 STIとは何か...