製造プロセス｜どう作るか– category –

結論：FEOL（Front End of Line）はトランジスタを形成する工程群、BEOL（Back End of Line）はCu多層配線を形成する工程群、MOL（Middle of Line）はトランジスタと配線をつなぐコンタクト形成工程群。それぞれ異なる装置・材料が使われ、投資・M&A分析で...

結論：アッシング（Ashing）は、エッチングやイオン注入後に不要となったフォトレジストをプラズマ（酸素ラジカル）で酸化・灰化して除去する工程。「ドライストリッピング」とも呼ばれ、ウェット洗浄との組み合わせでレジスト残渣を完全除去する。TEL・LA...

結論：RIE（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）は、プラズマ中の反応性イオンと化学ラジカルを組み合わせてシリコン・絶縁膜・金属薄膜を精密に除去するドライエッチング技術。物理的エッチング（イオン衝突）と化学的エッチング（ラジカル反...

結論：イオン注入は、高速に加速したイオン（ドーパント）をシリコン基板に打ち込み、半導体の電気的特性を制御する工程だ。トランジスタのソース・ドレイン形成やウェル形成に必須であり、前工程の中でもデバイス性能を左右する重要プロセスの一つである...

結論：ALDは、1原子層ずつ精密に薄膜を堆積する成膜技術。2nm以降の最先端プロセスでHigh-k膜・バリア層・シード層の形成に不可欠であり、装置市場はASM International・Applied Materials・LAM Researchが支配する。 ALDとは何か ALD（Atomic Layer Depos...

結論：マルチパターニングは、ArF液浸露光の解像限界を超えた微細パターンを複数回の露光と加工で実現する技術。EUVが普及した現在も組み合わせて使用されており、工程数増加によるコスト上昇が継続的な課題となっている。 なぜマルチパターニングが必要か...

結論：ダマシン（Damascene）プロセスはSiO₂に溝（トレンチ）を掘りCuを埋め込んでCMPで平坦化する配線形成手法。Al配線より低抵抗・高EM耐性のため0.18μm世代以降のBEOL多層配線の標準となっている。 なぜCu配線が必要か かつての半導体配線はアルミニウ...

結論：STI（Shallow Trench Isolation：浅溝素子分離）は、シリコン基板に浅いトレンチ（溝）を彫り、絶縁体（SiO₂）で埋めてトランジスタ間を電気的に分離する技術。0.35μm世代以降の標準プロセスであり、現在の先端ノードまで使われている。 STIとは何か...

結論：PVD（Physical Vapor Deposition）はターゲット材料に粒子をぶつけて飛散させ、ウェハ上に金属薄膜を形成する技術。Cu配線のバリア層・シード層・メタルゲート電極など金属薄膜形成の主力技術であり、Applied Materialsが装置市場を独占する。 PVDと...

結論：OPC（Optical Proximity Correction：光近接効果補正）は、光の回折・干渉によってパターンが変形することを事前にマスク上で補正する技術。EDAソフトウェアの核心であり、SynopsysとSiemens EDA（旧Mentor Graphics）が市場を独占する。 光近接効果...