半導体用語集– category –

デュアルダマシンは、層間絶縁膜に配線溝とビアホールを作り、銅を一括で埋め込んで上下接続と横配線を形成するBEOL技術です。

ICPエッチングはInductively Coupled Plasmaを用いるドライエッチング方式です。誘導結合で高密度プラズマを生成し、プラズマ密度とウェハへ入射するイオンエネルギーを比較的独立に制御できます。

DRIEはDeep Reactive Ion Etchingの略で、シリコンへ深く高アスペクト比のトレンチやホールを形成する反応性イオンエッチング技術です。MEMS、TSV、深溝構造で使われます。

コンタクトホールは、トランジスタのソース・ドレインやゲートと最初の配線層を電気的に接続するため、層間絶縁膜へ形成する微細な穴です。

活性化アニールは、イオン注入したドーパントをシリコン結晶の置換位置へ移し、電子や正孔を供給できる電気的活性状態にする熱処理です。同時に注入で生じた結晶損傷を回復します。

ドライエッチングは、反応性ガスのプラズマを使って薄膜や基板を除去する加工技術です。方向性を持たせやすく、微細なライン、ホール、トレンチを垂直に形成できます。

蒸着は、真空中で材料を加熱または電子ビームで蒸発させ、その蒸気をウェハや基板へ付着させるPVD成膜法です。熱蒸着と電子ビーム蒸着が代表的です。

拡散工程は、高温でドーパント原子をシリコン結晶中へ移動させ、所定の濃度分布と接合深さを形成する熱処理です。イオン注入が普及する以前から使われ、現在も再分布や一部デバイス形成で重要です。

PECVDはPlasma Enhanced Chemical Vapor Depositionの略で、プラズマのエネルギーを利用して原料ガスを分解し、比較的低い基板温度で薄膜を形成する技術です。