半導体用語集– category –

ESDはElectrostatic Dischargeの略で、帯電した人体・装置・部品間で静電気が瞬間的に放電する現象です。高電圧・大電流パルスが半導体の絶縁膜や接合を破壊することがあります。

ホットキャリアは、半導体中の強い電界で加速され、格子の熱平衡より高いエネルギーを持った電子や正孔です。MOSFETのドレイン近傍で発生し、長期的な特性劣化を引き起こします。

熱雑音は、温度による電子のランダムな熱運動から生じる電気的な揺らぎです。抵抗体やトランジスタのチャネルで発生し、信号がなくても存在する基本的なノイズです。

EMIはElectromagnetic Interferenceの略で、不要な電磁エネルギーが他の回路や機器へ干渉し、誤動作や性能低下を起こす現象です。放射ノイズと伝導ノイズに大別されます。

オン電流（Ion）は、トランジスタをオン状態にしたときに流せるドレイン電流の指標です。一般に規定したゲート電圧・ドレイン電圧・素子幅で測定し、回路の駆動能力を表します。

オフ電流（Ioff）は、トランジスタをオフ状態にしたときに流れるドレイン電流です。理想的にはゼロですが、実際にはサブスレッショルド電流や接合リークなどが残ります。

ゲートは、FETのチャネル状態を電界で制御する電極です。MOSFETではゲート絶縁膜を介して半導体表面に向き合い、ゲート電圧によってオン・オフと電流量を変えます。

サブスレッショルドは、MOSFETのゲート電圧が閾値電圧より低い領域です。完全なチャネルが形成されていなくても拡散によって電流が流れ、オフ電流の主要成分になります。

ソースは、FETのチャネルへキャリアを供給する端子・領域です。MOSFETにはソース、ドレイン、ゲート、ボディがあり、ソース電位を基準にゲート電圧やドレイン電圧を考えます。