半導体用語集– category –

PECVDはPlasma Enhanced Chemical Vapor Depositionの略で、プラズマのエネルギーを利用して原料ガスを分解し、比較的低い基板温度で薄膜を形成する技術です。

アライメントは、ウェハ上の既存パターンと次に露光するレチクルパターンの座標を合わせる操作です。専用のアライメントマークを読み取り、ウェハの位置、回転、倍率、歪みを補正します。

オーバーレイは、異なる露光レイヤー間のパターン位置合わせ精度、またはその位置ずれ量です。前の層に対して次の層がX・Y方向や回転、倍率、歪みを含めてどれだけずれたかを評価します。

露光の解像度は、ウェハ上で分離して形成できる最小パターン寸法を示します。一般にレイリー式で説明され、光源波長、投影光学系のNA、プロセス係数k1によって決まります。

DOFはDepth of Focusの略で、露光パターンが許容品質を保てる焦点位置の範囲です。ウェハの段差や反り、膜厚ばらつきがあっても正しく転写できるピントの余裕を表します。

NAはNumerical Apertureの略で、露光光学系がどれだけ広い角度の光を取り込めるかを表す開口数です。NAが大きいほど微細なパターンを解像できますが、焦点深度や光学設計の難しさとのトレードオフがあります。

KrFリソグラフィは、波長248nmのクリプトンフッ素エキシマレーザーを光源に使う露光技術です。ArFやEUVより古い世代ですが、成熟ノード、メモリの一部レイヤー、パワー半導体、各種周辺回路で現在も広く利用されています。

ペリクルは、フォトマスクやレチクルの表面から一定距離を置いて張る透明な保護膜です。異物がマスク面へ直接付着するのを防ぎ、付着物を投影光学系の焦点から外すことでウェハへの欠陥転写を抑えます。

露光は、フォトレジストを塗布したウェハへ光を照射し、フォトマスクやレチクル上の回路パターンを転写する工程です。半導体の線幅と位置精度を決めるフォトリソグラフィの中心工程で、KrF、ArF、EUVなどの光源が世代に応じて使い分けられます。