半導体用語集– category –

ドレインは、FETのチャネルを通過したキャリアを受け取る端子・領域です。ドレイン電圧はチャネル内の横方向電界を作り、流れる電流と動作領域を決めます。

シリサイドは、金属とシリコンが反応してできる化合物です。MOSFETのゲート、ソース、ドレイン上に形成し、シリコンと金属配線の間の抵抗を下げるために使われます。

チャネルは、FETでソースとドレインの間をキャリアが移動する電流経路です。MOSFETではゲート電圧によって半導体表面に形成・消滅し、トランジスタのオンとオフを決めます。

誘電率は、物質が電界に応答して電気エネルギーを蓄える能力を示す物性値です。真空の誘電率との比を比誘電率または誘電率kと呼び、絶縁膜の容量や配線遅延を左右します。

酸化膜は、半導体表面に形成される酸化物の薄膜です。シリコンプロセスでは二酸化シリコン（SiO2）が代表的で、ゲート絶縁、素子分離、表面保護、マスクとして使われます。

移動度は、半導体中の電子や正孔が電界を受けたときにどれだけ速く移動するかを示す物性値です。一般にcm²/Vsで表し、トランジスタの電流能力と速度に影響します。

抵抗率は、材料固有の電気の流れにくさを示す物性値です。記号ρ、単位Ω・cmなどで表し、形状に依存する抵抗値と区別されます。半導体ではキャリア濃度と移動度に強く依存します。

アクセプタは、半導体結晶から電子を受け取り、正孔を生み出す不純物です。シリコンでは主にIII族元素のボロンが使われ、p型半導体を形成します。

ドナーは、半導体結晶へ自由電子を供給する不純物です。シリコンではV族元素のリン、ヒ素、アンチモンなどが使われ、n型半導体を形成します。