この記事のポイント：EO Technics（イーオーテクニクス、KOSDAQ:039030、韓国・1989年設立）は半導体ウェハのレーザーダイシング・マーキング・アニール・ドリリング専用装置を手がける韓国を代表するレーザー装置メーカー。2025年度売上約3,810億ウォン（約280億円）で前年比+18.7%の成長を記録し、先端パッケージング・3D積層構造向けの薄ウェハ加工・ステルスダイシング需要を取り込む成長企業だ。
| 企業名 | EO Technics Co., Ltd.（이오테크닉스） |
|---|---|
| 証券コード | KOSDAQ:039030 |
| 設立・所在地 | 1989年・韓国・安養市（Anyang-si） |
| 売上高 | 2024年：3,210億ウォン → 2025年：3,810億ウォン（+18.7%） |
| 主要製品 | レーザーダイシング（LMC3200D）・ウェハマーカー・レーザーアニール・ドリリング装置 |
| レーザー種別 | DDL・DPSS（FS/PS/NS）・ファイバーレーザー（EF-Series） |
半導体ウェハのレーザー加工と従来ブレードダイシングの違い
半導体ウェハからチップを切り出す「ダイシング」は従来ダイヤモンドブレードで機械的に切断していた。しかし薄ウェハ化（先端パッケージング向けに50〜100μm以下）が進むと機械的なブレードダイシングはチッピング（欠け）・クラックのリスクが高まる。レーザーダイシングは非接触プロセスであるため、200μm以下の薄ウェハを高速・高精度にチッピングなしで加工できるのが最大の利点だ。
ポイント：EO TechnicsのLMC3200Dは従来のブレードダイシング比で大幅なチッピング低減と高速加工を実現し、200μm以下の極薄ウェハを精密切断できる次世代ダイシングシステムだ。先端3D積層メモリ（HBM・3D NAND）の製造で薄ウェハ加工需要が急増している。
主要製品
① レーザーダイシング（LMC3200D）
DPSS（ダイオード励起固体レーザー）を用いたウェハダイシングシステム。シリコン・ガラス・化合物半導体の薄ウェハを高速・非接触で切断する。ステルスダイシング（レーザーをウェハ内部に集光して内部亀裂を形成し、外力で割るプロセス）にも対応し、切断面の品質・チッピングゼロを実現する。
② ウェハマーカー（Strip/Tray/Wafer各種）
ウェハのバックサイド・トップサイドにロット番号・デバイスIDをレーザーで刻印するマーキング装置。半導体のトレーサビリティ管理（製造履歴の追跡）に必須であり、全数マーキングがSAMSUNG・TSMCを含む主要ファブの品質管理標準になっている。
③ レーザーアニール装置
ドーパント注入後の結晶損傷修復・活性化に使われるレーザーアニールは、高温炉アニールより局所的・短時間で処理できる。先端ロジック（GAA・FinFET）の浅接合形成・接触抵抗低減に不可欠なプロセスであり、EO Technicsは韓国内での先行量産実績を持つ。
EO Technicsの成長ドライバー
2025年売上+18.7%の背景は複合的だ。Samsung・SKハイニックスのHBM（高帯域幅メモリ）量産加速による薄ウェハ加工装置の追加発注、先端パッケージング（Fan-Out WLP・2.5D/3D実装）向けダイシング需要の増加、そして韓国政府の半導体装置国産化支援が重なる。HBM1個につき8〜12枚のDRAMダイを積層するため、HBM需要の拡大は薄ウェハダイシング装置需要に直結する強い相関がある。
投資・M&A視点での評価
EO Technics（KOSDAQ:039030）はPER・PBRともに韓国半導体装置株の中で相対的に割安に評価される成長株として機関投資家から注目される。Disco（日本）・IPG Photonics（米国）との競合の中で、韓国・中国・東南アジアの現地密着サービス体制と低コスト量産力が競争優位だ。詳細は半導体業界の全体構造を読むも参照。
※本記事は公開情報をもとに作成した分析・解説記事です。投資判断等の根拠として使用する場合は、必ず一次情報をご確認ください。情報は執筆時点のものであり、最新状況とは異なる場合があります。
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