半導体用語集– category –

結論：MES（Manufacturing Execution System：製造実行システム）は、半導体工場でウェハロットの工程進捗・品質データ・装置稼働状況を一元管理するITシステム。数百工程・数千台の装置を持つ半導体ファブの「神経系」であり、Applied Materials（PDC）・...

結論：CD-SEM（Critical Dimension Scanning Electron Microscope）は、半導体ウェハ上の回路線幅（CD：Critical Dimension）を電子線で精密に計測する装置。プロセス管理・歩留まり改善の要であり、日立ハイテク・Applied Materialsが世界市場を分割して...

結論：ペリクルは、フォトマスク（レチクル）表面に付着するパーティクルを光学的にデフォーカスさせてウェハへの欠陥転写を防ぐ超薄膜の保護フィルム。ArF露光用はフッ素系ポリマー、EUV用はポリシリコン薄膜（50nm以下）と材料がまったく異なり、EUV用ペ...

結論：HKMG（High-k Metal Gate：高誘電率メタルゲート）は、従来のSiO₂ゲート絶縁膜とポリシリコン電極を、High-k材料（HfO₂）とメタルゲート（TiN/TaN）に置き換えた技術。45nm世代（2007年・Intel）に初採用され、現在のすべての先端トランジスタで標準...

結論：FEOL（Front End of Line）はトランジスタを形成する工程群、BEOL（Back End of Line）はCu多層配線を形成する工程群、MOL（Middle of Line）はトランジスタと配線をつなぐコンタクト形成工程群。それぞれ異なる装置・材料が使われ、投資・M&A分析で...

結論：アッシング（Ashing）は、エッチングやイオン注入後に不要となったフォトレジストをプラズマ（酸素ラジカル）で酸化・灰化して除去する工程。「ドライストリッピング」とも呼ばれ、ウェット洗浄との組み合わせでレジスト残渣を完全除去する。TEL・LA...

結論：RIE（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）は、プラズマ中の反応性イオンと化学ラジカルを組み合わせてシリコン・絶縁膜・金属薄膜を精密に除去するドライエッチング技術。物理的エッチング（イオン衝突）と化学的エッチング（ラジカル反...

結論：イオン注入は、高速に加速したイオン（ドーパント）をシリコン基板に打ち込み、半導体の電気的特性を制御する工程だ。トランジスタのソース・ドレイン形成やウェル形成に必須であり、前工程の中でもデバイス性能を左右する重要プロセスの一つである...

結論：ALDは、1原子層ずつ精密に薄膜を堆積する成膜技術。2nm以降の最先端プロセスでHigh-k膜・バリア層・シード層の形成に不可欠であり、装置市場はASM International・Applied Materials・LAM Researchが支配する。 ALDとは何か ALD（Atomic Layer Depos...

結論：マルチパターニングは、ArF液浸露光の解像限界を超えた微細パターンを複数回の露光と加工で実現する技術。EUVが普及した現在も組み合わせて使用されており、工程数増加によるコスト上昇が継続的な課題となっている。 なぜマルチパターニングが必要か...