半導体用語集– category –
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ラッチアップとは？CMOSの寄生SCR・試験方法・設計対策を解説
ラッチアップ（CMOS Latch-up）は、CMOS内の寄生PNP・NPN構造がSCRとして導通し、電源とグランド間に低抵抗の大電流経路が維持される現象です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間にわたり性能を維持することが必要です。本記事で... -
NBTI・PBTIとは？MOSFETの閾値劣化・回復・寿命評価を解説
NBTI・PBTI（Negative / Positive Bias Temperature Instability）は、MOSFETへゲートバイアスと温度ストレスが加わることで、閾値電圧や相互コンダクタンスが時間依存で変化する劣化現象です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間... -
ESDとは？半導体の静電気破壊・HBM・CDM試験と対策を解説
この記事の要点静電気放電に対するデバイス耐性をHBM・CDMなどで評価する信頼性試験です。比較では、試験モデル、耐圧、故障モード、サンプル数、規格適合を確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。ESD（Electrostatic Di... -
温度サイクル試験とは？半導体パッケージの熱疲労・条件・評価方法を解説
この記事の要点温度サイクル試験の仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、性能、消費電力、信頼性、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。温度サイクル（Temperature Cycling Test... -
TDDBとは？ゲート絶縁膜の経時破壊・試験方法・寿命予測を解説
この記事の要点TDDBの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、性能、消費電力、信頼性、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown）は、絶縁... -
HTOLとは？半導体の高温動作寿命試験・加速条件・判定方法を解説
この記事の要点高温で動作させて長期故障を加速評価する半導体信頼性試験です。比較では、温度、電圧、時間、サンプル数、故障率、加速モデルを確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。HTOL（High Temperature Operating ... -
HASTとは？半導体の高温高湿加速試験・条件・不良モードを解説
この記事の要点HASTの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、測定精度、テスト時間、カバレッジ、並列性、温度条件、再現性を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。HAST（Highly Accelerated Temperature and Humidi... -
Cpkとは？半導体の工程能力指数・計算式・改善方法を解説
この記事の要点Cpkの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、検出感度、測定再現性、処理速度、欠陥分類、工程フィードバックを確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。CPK（Process Capability Index Cpk）は、工程平... -
OEEとは？半導体設備の総合効率・計算方法・改善ポイントを解説
この記事の要点OEEの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、稼働率、処理能力、サイクルタイム、歩留まり、保守性、総保有費を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。OEE（Overall Equipment Effectiveness）は、設備...