半導体用語集– category –
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TiN・TaNとは？半導体の電極・バリアメタル材料を解説
この記事の要点電極・拡散防止・密着層として使われる窒化チタン・窒化タンタル材料です。比較では、抵抗、拡散防止性、膜厚、段差被覆性、エッチング性を確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。TiN・TaNは、半導体の性... -
CZ法とは？シリコン単結晶の引き上げ原理・酸素濃度・300mm化を解説
この記事の要点石英るつぼの溶融シリコンから種結晶を引き上げ、大口径単結晶を育成する方法です。比較では、口径、酸素濃度、結晶欠陥、抵抗率、歩留まりを確認します。代表企業、市場の金額、実務・企業分析の視点まで整理します。CZ法は、半導体の性能... -
FZ法とは？フローティングゾーン法の原理・高純度シリコン用途を解説
この記事の要点るつぼを使わず溶融帯を移動させて高純度単結晶を育成する方法です。比較では、抵抗率、酸素濃度、結晶欠陥、口径、歩留まりを確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。FZ法は、半導体の性能、歩留まり、製... -
EPI・エピタキシャルウェハとは？成長原理・用途・品質管理を解説
この記事の要点単結晶基板上へ結晶方位をそろえた薄膜を成長させ、デバイス特性を作るウェーハです。比較では、膜厚、ドーピング、欠陥、均一性、界面、コストを確認します。代表企業、市場の金額、実務・企業分析の視点まで整理します。EPIは、半導体の性... -
200mm・300mmウェハとは？口径の違い・用途・製造コストを解説
この記事の要点200mm・300mmウェハの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、口径、結晶欠陥、平坦度、純度、歩留まり、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。200mm・300mmウェハは、半導体の性能、歩留ま... -
SOIウェハとは？構造・メリット・FD-SOIとRF用途を解説
この記事の要点SOIウェハの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、口径、結晶欠陥、平坦度、純度、歩留まり、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。SOIは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解する... -
半導体の信頼性評価とは？試験計画・加速モデル・製品認定を解説
この記事の要点製品寿命と使用環境への耐性を加速試験で確認し、出荷認定につなげる活動です。比較では、試験条件、加速モデル、サンプル数、故障解析、規格を確認します。関連企業、市場の金額、実務・企業分析の観点まで整理します。信頼性評価（Semicon... -
ソフトエラーとは？放射線によるSEU・SER・対策技術を解説
ソフトエラー（Soft Error / Single Event Upset）は、放射線粒子などで回路状態やメモリビットが一時的に反転するものの、デバイス自体には永久損傷を残さない誤動作です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間にわたり性能を維持す... -
FIT・MTBFとは？半導体の故障率・信頼性指標・計算方法を解説
この記事の要点FIT・MTBFの仕組み、用途、関連工程を整理します。比較では、性能、消費電力、信頼性、歩留まり、量産コスト、供給能力を確認します。関連企業、市場の金額、企業分析の観点まで解説します。FIT・MTBF（Failures In Time / Mean Time Betwee...