半導体用語集– category –

FZ法は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。FZ法（フローティングゾーン法）は、るつぼを使わず多結晶シリコン棒の一部を高周波加熱で溶融し、溶融帯を移動させて単結晶化する方法です。 本記事では「半導体 用語」「半...

EPIは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。EPIはエピタキシャル成長の略で、単結晶ウェハ上に結晶方位を引き継いだ単結晶薄膜を成長させる技術と、そのウェハを指します。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調...

SOIは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。SOI（Silicon on Insulator）は、シリコン支持基板の上に絶縁膜と薄い活性シリコン層を形成したウェハです。素子分離性、寄生容量、耐放射線性を改善できます。 本記事では「半...

200mm・300mmウェハは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。200mmウェハは直径約8インチ、300mmウェハは約12インチのシリコン基板です。現在の先端ロジックや大容量メモリでは300mmが主流ですが、パワー半導体、アナログ...

信頼性評価（Semiconductor Reliability Evaluation）は、製品が想定する使用環境と期間で機能・性能を維持できるかを、故障物理、加速試験、統計解析で検証する活動です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間にわたり性能を維持す...

ソフトエラー（Soft Error / Single Event Upset）は、放射線粒子などで回路状態やメモリビットが一時的に反転するものの、デバイス自体には永久損傷を残さない誤動作です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間にわたり性能を維持す...

FIT・MTBF（Failures In Time / Mean Time Between Failures）は、FITは10億デバイス時間当たりの故障数、MTBFは修理可能系で故障から次の故障までの平均時間を表す信頼性指標です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間にわたり性能...

ラッチアップ（CMOS Latch-up）は、CMOS内の寄生PNP・NPN構造がSCRとして導通し、電源とグランド間に低抵抗の大電流経路が維持される現象です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間にわたり性能を維持することが必要です。本記事で...

NBTI・PBTI（Negative / Positive Bias Temperature Instability）は、MOSFETへゲートバイアスと温度ストレスが加わることで、閾値電圧や相互コンダクタンスが時間依存で変化する劣化現象です。半導体では、製造直後に動くだけでなく、想定する環境と期間...