半導体用語集– category –

窒化シリコンは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。窒化シリコン（SiN、Si3N4）は、耐湿性、機械強度、拡散バリア性に優れた絶縁膜です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調べる方に向けて、窒化シリコンの...

ハードマスクは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。ハードマスクは、フォトレジストだけでは耐えられない深掘り・高選択比エッチングで使う無機または炭素系のマスク膜です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」...

酸化シリコンは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。酸化シリコン（SiO2）は、シリコンと相性の良い代表的な絶縁材料です。ゲート界面、素子分離、層間絶縁、パッシベーションに使われます。 本記事では「半導体 用語」...

アルミ配線は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。アルミ配線は、アルミニウムまたはAl-Cu合金を用いて信号・電源を接続する配線技術です。成熟ノード、パワー半導体、ボンディングパッドで広く使われます。 本記事では...

バリアメタルは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。バリアメタルは、CuやWなどの配線金属が絶縁膜やシリコンへ拡散することを防ぎ、密着性を確保する薄膜です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調べる方に...

タングステンは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。タングステン（W）は、高融点で熱安定性に優れ、半導体のコンタクトプラグ、ビア、ローカル配線に使われる金属材料です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」...

HfO2は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。HfO2（酸化ハフニウム）は、高い誘電率とシリコンプロセス適合性を持つHigh-k材料です。微細MOSFETのゲート絶縁膜や先端メモリに利用されます。 本記事では「半導体 用語」「...

TiN・TaNは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。TiNとTaNは、導電性、耐熱性、拡散防止性を備えた金属窒化物です。ゲート電極、コンタクト、Cu配線のバリア層などに使われます。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎...

CZ法は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。CZ法（チョクラルスキー法）は、溶融シリコンへ種結晶を接触させ、回転させながら引き上げて単結晶インゴットを作る方法です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調...