半導体用語集– category –

ウェハマップは、ウェハ上のダイ座標ごとに良否、ビン、測定値、欠陥情報を記録・表示するデータです。

IV測定は、半導体へ電圧を印加し流れる電流を測定して導通、リーク、しきい値、耐圧を評価する基本計測です。

CV測定は、電圧に対する容量変化からMOS構造、接合、誘電膜、ドーピング特性を評価する計測です。

パラメトリックテストは、ウェハ上のテスト構造でトランジスタ、配線、抵抗、容量、接合の工程特性を測る試験です。

XRFは蛍光X線分析法で、X線照射により発生する元素固有の蛍光X線から組成・膜厚を測定します。

リーク検査は、パッケージ、真空部品、配管、チャンバーなどの密封性と漏れ量を確認する検査です。

膜厚測定は、半導体ウェハ上の絶縁膜、金属膜、レジストなどの厚さと均一性を定量化する計測です。

エリプソメータは、反射光の偏光変化から薄膜の膜厚と光学定数を非破壊測定する装置です。

XRDはX線回折法で、結晶構造、相、格子定数、配向、歪み、結晶性を非破壊評価します。