前工程・ウェハプロセス– category –
前工程・ウェハプロセスでは、シリコンウェハ上に微細なトランジスタと配線を形成する一連の半導体製造工程を解説します。フォトリソグラフィ、EUV・ArF露光、レジスト塗布、現像、アライメント、オーバーレイ、OPC、マルチパターニングなどの微細加工技術から、CVD、ALD、PVD、スパッタ、熱酸化による成膜までを整理します。さらに、イオン注入、拡散、活性化、RTA、ドライ・ウェットエッチング、RIE、ICP、洗浄、CMP、ダマシン配線、HKMG、STI、コンタクト、ビアを紹介。CD・膜厚・欠陥検査、SPC、APC、FDC、レシピ、チャンバー、スループット、歩留まりなど、装置運用と生産管理に関わる用語も含め、FEOL・MOL・BEOLの全体像を理解できるカテゴリーです。各工程の目的、前後工程との関係、微細化で生じる課題を結び付け、製造フローを俯瞰できる構成です。
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前工程・ウェハプロセス
ALDとは?原子層単位で薄膜を積む先端半導体の成膜技術をわかりやすく解説【2026年版】
結論:ALDは、1原子層ずつ精密に薄膜を堆積する成膜技術。2nm以降の最先端プロセスでHigh-k膜・バリア層・シード層の形成に不可欠であり、装置市場はASM International・Applied Materials・LAM Researchが支配する。 ALDとは何か ALD(Atomic Layer Depos... -
前工程・ウェハプロセス
マルチパターニングとは?EUV前時代の微細化を支えたリソグラフィ技術をわかりやすく解説【2026年版】
結論:マルチパターニングは、ArF液浸露光の解像限界を超えた微細パターンを複数回の露光と加工で実現する技術。EUVが普及した現在も組み合わせて使用されており、工程数増加によるコスト上昇が継続的な課題となっている。 なぜマルチパターニングが必要か... -
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イオン注入とは?半導体にドーパントを打ち込む工程の仕組みをわかりやすく解説【2026年版】
結論:イオン注入は、高速に加速したイオン(ドーパント)をシリコン基板に打ち込み、半導体の電気的特性を制御する工程だ。トランジスタのソース・ドレイン形成やウェル形成に必須であり、前工程の中でもデバイス性能を左右する重要プロセスの一つである... -
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レチクルとは?半導体回路の「型」となるフォトマスクの仕組みをわかりやすく解説【2026年版】
結論:レチクル(フォトマスク)は、露光装置がウェハに転写する回路パターンが描かれたガラス基板。EUVレチクルは反射型構造で1枚数百万ドルに達し、AGC・SKCソルミックスなどがマスクブランクスを供給する。 レチクルとは何か レチクル(Reticle)はフォ... -
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ダマシン・Cu配線とは?半導体の多層配線を形成する後工程プロセスをわかりやすく解説【2026年版】
結論:ダマシン(Damascene)プロセスはSiO₂に溝(トレンチ)を掘りCuを埋め込んでCMPで平坦化する配線形成手法。Al配線より低抵抗・高EM耐性のため0.18μm世代以降のBEOL多層配線の標準となっている。 なぜCu配線が必要か かつての半導体配線はアルミニウ... -
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STIとは?トランジスタ間を電気的に分離する浅溝素子分離技術をわかりやすく解説【2026年版】
結論:STI(Shallow Trench Isolation:浅溝素子分離)は、シリコン基板に浅いトレンチ(溝)を彫り、絶縁体(SiO₂)で埋めてトランジスタ間を電気的に分離する技術。0.35μm世代以降の標準プロセスであり、現在の先端ノードまで使われている。 STIとは何か... -
前工程・ウェハプロセス
PVD・スパッタリングとは?半導体の金属薄膜を成膜する技術をわかりやすく解説【2026年版】
結論:PVD(Physical Vapor Deposition)はターゲット材料に粒子をぶつけて飛散させ、ウェハ上に金属薄膜を形成する技術。Cu配線のバリア層・シード層・メタルゲート電極など金属薄膜形成の主力技術であり、Applied Materialsが装置市場を独占する。 PVDと... -
前工程・ウェハプロセス
OPCとは?マスクの「ゆがみ」を事前補正して回路を正確に焼き付ける技術をわかりやすく解説【2026年版】
結論:OPC(Optical Proximity Correction:光近接効果補正)は、光の回折・干渉によってパターンが変形することを事前にマスク上で補正する技術。EDAソフトウェアの核心であり、SynopsysとSiemens EDA(旧Mentor Graphics)が市場を独占する。 光近接効果... -
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アニールとは?半導体製造で不純物を活性化する熱処理技術をわかりやすく解説【2026年版】
結論:アニール(熱処理)は、イオン注入後のシリコン格子損傷を修復し、ドーパントを活性化する工程。先端ノードではRTA(高速熱処理)やフラッシュアニールが使われ、熱拡散を最小限に抑えながら短時間で高温処理する。 アニールとは何か アニールは半導...