前工程・ウェハプロセス– category –
前工程・ウェハプロセスでは、シリコンウェハ上に微細なトランジスタと配線を形成する一連の半導体製造工程を解説します。フォトリソグラフィ、EUV・ArF露光、レジスト塗布、現像、アライメント、オーバーレイ、OPC、マルチパターニングなどの微細加工技術から、CVD、ALD、PVD、スパッタ、熱酸化による成膜までを整理します。さらに、イオン注入、拡散、活性化、RTA、ドライ・ウェットエッチング、RIE、ICP、洗浄、CMP、ダマシン配線、HKMG、STI、コンタクト、ビアを紹介。CD・膜厚・欠陥検査、SPC、APC、FDC、レシピ、チャンバー、スループット、歩留まりなど、装置運用と生産管理に関わる用語も含め、FEOL・MOL・BEOLの全体像を理解できるカテゴリーです。各工程の目的、前後工程との関係、微細化で生じる課題を結び付け、製造フローを俯瞰できる構成です。
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前工程・ウェハプロセス
CVD・成膜とは|半導体の「積み重ね」を支える薄膜形成技術と装置市場
結論:CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は、ガスの化学反応によってウェハ上に薄膜を形成する半導体製造の核心技術だ。トランジスタ・配線・絶縁膜など半導体の多層構造のほぼすべての層がCVDで形成される。Applied Materials・東京エレク... -
前工程・ウェハプロセス
リソグラフィとは|半導体回路を「焼き付ける」工程の構造と投資への影響
結論:リソグラフィとは、半導体ウェハ上に回路パターンを光で転写する工程だ。使用する光の波長が短いほど微細な回路を描けるため、EUV(極端紫外線)という波長13.5nmの光を使う最先端リソグラフィが、3nm以下の先端半導体製造の鍵を握っている。この工... -
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EUVとは|最先端半導体を可能にする極端紫外線露光技術の構造を読む
結論:EUV(極端紫外線)露光技術は、2nm/3nmといった最先端半導体製造において物理的に代替不可能な「唯一の解」である。露光装置本体をASML(オランダ)が、その前後工程である塗布・現像装置を東京エレクトロンがそれぞれシェア100%で独占している。1台...