前工程・ウェハプロセス– category –
前工程・ウェハプロセスでは、シリコンウェハ上に微細なトランジスタと配線を形成する一連の半導体製造工程を解説します。フォトリソグラフィ、EUV・ArF露光、レジスト塗布、現像、アライメント、オーバーレイ、OPC、マルチパターニングなどの微細加工技術から、CVD、ALD、PVD、スパッタ、熱酸化による成膜までを整理します。さらに、イオン注入、拡散、活性化、RTA、ドライ・ウェットエッチング、RIE、ICP、洗浄、CMP、ダマシン配線、HKMG、STI、コンタクト、ビアを紹介。CD・膜厚・欠陥検査、SPC、APC、FDC、レシピ、チャンバー、スループット、歩留まりなど、装置運用と生産管理に関わる用語も含め、FEOL・MOL・BEOLの全体像を理解できるカテゴリーです。各工程の目的、前後工程との関係、微細化で生じる課題を結び付け、製造フローを俯瞰できる構成です。
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前工程・ウェハプロセス
DOF(焦点深度)とは?半導体露光のピント余裕と解像度の関係を解説
DOFはDepth of Focusの略で、露光パターンが許容品質を保てる焦点位置の範囲です。ウェハの段差や反り、膜厚ばらつきがあっても正しく転写できるピントの余裕を表します。 -
前工程・ウェハプロセス
KrFリソグラフィとは?248nm露光が成熟ノードを支える仕組みと用途を解説
KrFリソグラフィは、波長248nmのクリプトンフッ素エキシマレーザーを光源に使う露光技術です。ArFやEUVより古い世代ですが、成熟ノード、メモリの一部レイヤー、パワー半導体、各種周辺回路で現在も広く利用されています。 -
前工程・ウェハプロセス
ペリクルとは?フォトマスクを異物から守る薄膜とEUVでの課題を解説
ペリクルは、フォトマスクやレチクルの表面から一定距離を置いて張る透明な保護膜です。異物がマスク面へ直接付着するのを防ぎ、付着物を投影光学系の焦点から外すことでウェハへの欠陥転写を抑えます。 -
前工程・ウェハプロセス
半導体の露光とは?フォトリソグラフィで回路パターンを転写する仕組みを解説
露光は、フォトレジストを塗布したウェハへ光を照射し、フォトマスクやレチクル上の回路パターンを転写する工程です。半導体の線幅と位置精度を決めるフォトリソグラフィの中心工程で、KrF、ArF、EUVなどの光源が世代に応じて使い分けられます。 -
前工程・ウェハプロセス
High-NA EUVとは?1台5億ユーロ・ASML独占の次世代露光装置【2026年版】
結論:High-NA EUVは、レンズの開口数(NA)を0.33から0.55へ高めた次世代EUV露光装置。1nm台のロジックノードに必須とされ、1台約5億ユーロとされる史上最高額の製造装置だ。ASMLが独占供給し、Intelが世界初導入で先行、TSMC・Samsungが追随の構図となっ... -
前工程・ウェハプロセス
プロセスウィンドウとは?半導体製造の歩留まりを決定する工程余裕の管理【2026年版】
プロセスウィンドウは、半導体の前工程を理解するうえで重要な用語です。この記事では、定義、仕組み、重要性、量産での具体例を分かりやすく解説します。プロセスウィンドウとはプロセスウィンドウは、CD、膜厚、形状、欠陥などの品質規格を同時に満たし... -
前工程・ウェハプロセス
熱酸化・RTAとは?半導体製造の酸化膜形成と瞬間熱処理技術【2026年版】
結論:熱酸化はシリコンを高温で酸化してSiO₂膜を形成する技術、RTA(Rapid Thermal Annealing)は短時間・高温熱処理でイオン注入後の活性化や膜質改善を行う技術。どちらも半導体前工程で欠かせない熱処理プロセスだ。 熱酸化とは 熱酸化はシリコンウェ... -
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CMPとは?半導体の多層配線を可能にする化学機械研磨プロセス【2026年版】
結論:CMP(Chemical Mechanical Planarization:化学機械研磨)は、研磨パッドとスラリーを使ってウェーハ表面を化学的・機械的に研磨して平坦化する技術。多層配線・STI・銅ダマシンプロセスに必須で、Applied Materials・LAM Research・TELが装置市場を... -
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レジスト塗布・現像とは?フォトリソグラフィを支える感光材料工程【2026年版】
結論:レジスト塗布はウェーハ表面に光感応性樹脂(フォトレジスト)を均一塗布する工程、現像は露光後のレジストを薬液で選択的に溶解してパターンを形成する工程。フォトリソグラフィの最初と最後を担う重要工程だ。 フォトレジストとは フォトレジスト...