前工程・ウェハプロセス– category –
前工程・ウェハプロセスでは、シリコンウェハ上に微細なトランジスタと配線を形成する一連の半導体製造工程を解説します。フォトリソグラフィ、EUV・ArF露光、レジスト塗布、現像、アライメント、オーバーレイ、OPC、マルチパターニングなどの微細加工技術から、CVD、ALD、PVD、スパッタ、熱酸化による成膜までを整理します。さらに、イオン注入、拡散、活性化、RTA、ドライ・ウェットエッチング、RIE、ICP、洗浄、CMP、ダマシン配線、HKMG、STI、コンタクト、ビアを紹介。CD・膜厚・欠陥検査、SPC、APC、FDC、レシピ、チャンバー、スループット、歩留まりなど、装置運用と生産管理に関わる用語も含め、FEOL・MOL・BEOLの全体像を理解できるカテゴリーです。各工程の目的、前後工程との関係、微細化で生じる課題を結び付け、製造フローを俯瞰できる構成です。
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ロードロックとは？真空を破らずウェハを搬入する半導体装置の仕組みを解説
ロードロックは、大気側から真空装置へウェハを出し入れするための小型予備真空室です。メインチャンバーを大気開放せず、ウェハ搬入出に必要な空間だけを排気・復圧します。 -
CD（クリティカルディメンション）とは？半導体の線幅管理とCD-SEM測定を解説
CDはCritical Dimensionの略で、半導体パターンの性能を左右する重要寸法です。ゲート長、配線幅、スペース、ホール径など、設計と製造で厳密に管理すべき寸法を指します。 -
半導体製造装置のチャンバーとは？真空プロセス空間の構造・汚染管理を解説
チャンバーは、成膜、エッチング、アッシング、熱処理などのウェハ処理を行う密閉された反応空間です。圧力、温度、ガス、プラズマを再現性よく制御する装置の心臓部です。 -
ビアとは？半導体の上下配線層を接続する導電経路と形成工程を解説
ビアは、半導体チップの異なる金属配線層を垂直方向に接続する微細な導電経路です。層間絶縁膜へ穴を開け、銅やタングステンなどを埋め込んで形成します。 -
デュアルダマシンとは？Cu配線とビアを同時形成するBEOL工程を解説
デュアルダマシンは、層間絶縁膜に配線溝とビアホールを作り、銅を一括で埋め込んで上下接続と横配線を形成するBEOL技術です。 -
ICPエッチングとは？高密度プラズマで高速・高精度加工する仕組みを解説
ICPエッチングはInductively Coupled Plasmaを用いるドライエッチング方式です。誘導結合で高密度プラズマを生成し、プラズマ密度とウェハへ入射するイオンエネルギーを比較的独立に制御できます。 -
DRIEとは？シリコンへ深い垂直トレンチを形成する深掘りエッチングを解説
DRIEはDeep Reactive Ion Etchingの略で、シリコンへ深く高アスペクト比のトレンチやホールを形成する反応性イオンエッチング技術です。MEMS、TSV、深溝構造で使われます。 -
コンタクトホールとは？トランジスタと配線を接続する微細穴の形成工程を解説
コンタクトホールは、トランジスタのソース・ドレインやゲートと最初の配線層を電気的に接続するため、層間絶縁膜へ形成する微細な穴です。 -
活性化アニールとは？イオン注入後のドーパントを電気的に働かせる熱処理を解説
活性化アニールは、イオン注入したドーパントをシリコン結晶の置換位置へ移し、電子や正孔を供給できる電気的活性状態にする熱処理です。同時に注入で生じた結晶損傷を回復します。