前工程・ウェハプロセス– category –
前工程・ウェハプロセスでは、シリコンウェハ上に微細なトランジスタと配線を形成する一連の半導体製造工程を解説します。フォトリソグラフィ、EUV・ArF露光、レジスト塗布、現像、アライメント、オーバーレイ、OPC、マルチパターニングなどの微細加工技術から、CVD、ALD、PVD、スパッタ、熱酸化による成膜までを整理します。さらに、イオン注入、拡散、活性化、RTA、ドライ・ウェットエッチング、RIE、ICP、洗浄、CMP、ダマシン配線、HKMG、STI、コンタクト、ビアを紹介。CD・膜厚・欠陥検査、SPC、APC、FDC、レシピ、チャンバー、スループット、歩留まりなど、装置運用と生産管理に関わる用語も含め、FEOL・MOL・BEOLの全体像を理解できるカテゴリーです。各工程の目的、前後工程との関係、微細化で生じる課題を結び付け、製造フローを俯瞰できる構成です。
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前工程・ウェハプロセス
AMCとは?クリーンルームの分子状汚染・発生源・対策を解説
、仕組み、半導体製造での用途、管理ポイント、技術動向を基礎から解説します。 -
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半導体の歩留まり改善とは?欠陥低減・工程最適化の進め方を解説
歩留まり改善は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。歩留まり改善は、投入したウェハやダイのうち良品として出荷できる割合を高め、同じ設備から得られる売上と利益を増やす活動です。 本記事では「半導体 用語」「半導... -
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レビューSEMとは?欠陥レビュー・分類・歩留まり解析を解説
レビューSEMは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。レビューSEMは、欠陥検査装置が示した座標を高倍率で観察し、欠陥の形状と原因候補を分類する走査電子顕微鏡です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調べる... -
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ダブル・トリプルパターニングとは?方式・工程・重ね合わせ課題を解説
ダブル・トリプルパターニングは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。ダブル/トリプルパターニングは、1回の露光で解像できない微細ピッチを複数回の成膜・露光・エッチングで分割して形成する技術です。 本記事では「... -
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OCD計測とは?光学式寸法測定の原理・モデル解析・用途を解説
OCDは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。OCD(Optical Critical Dimension)は、パターンからの反射・回折光を解析し、線幅、高さ、側壁角、膜厚を非破壊で推定する計測技術です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 ... -
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イオンインプランタとは?装置構成・注入条件・半導体用途を解説
イオンインプランタは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。イオンインプランタは、ドーパント原子をイオン化・加速し、質量分離してウェハへ注入する装置です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調べる方に向... -
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LWRとは?ライン幅ラフネスの原因・測定・デバイス影響を解説
LWRは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。LWR(Line Width Roughness)は、レジストや加工後パターンの線幅が線方向に揺らぐばらつきです。LERは片側エッジの揺らぎを表します。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基... -
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CMPエンドポイントとは?終点検出の方式・過研磨・均一性管理を解説
CMPエンドポイントは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。CMPエンドポイントは、研磨対象膜が所定厚さまたは下地到達に達した時点を検出し、研磨を停止する判断点です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調べ... -
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e-beam検査とは?電子ビーム欠陥検査の原理・用途・課題を解説
e-beam検査は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。e-beam検査は、細く絞った電子線をウェハへ走査し、二次電子や反射電子の信号から微小欠陥や電位差異常を検出する方法です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」...