前工程・ウェハプロセス– category –
前工程・ウェハプロセスでは、シリコンウェハ上に微細なトランジスタと配線を形成する一連の半導体製造工程を解説します。フォトリソグラフィ、EUV・ArF露光、レジスト塗布、現像、アライメント、オーバーレイ、OPC、マルチパターニングなどの微細加工技術から、CVD、ALD、PVD、スパッタ、熱酸化による成膜までを整理します。さらに、イオン注入、拡散、活性化、RTA、ドライ・ウェットエッチング、RIE、ICP、洗浄、CMP、ダマシン配線、HKMG、STI、コンタクト、ビアを紹介。CD・膜厚・欠陥検査、SPC、APC、FDC、レシピ、チャンバー、スループット、歩留まりなど、装置運用と生産管理に関わる用語も含め、FEOL・MOL・BEOLの全体像を理解できるカテゴリーです。各工程の目的、前後工程との関係、微細化で生じる課題を結び付け、製造フローを俯瞰できる構成です。
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ドライエッチングとは？プラズマで半導体パターンを垂直加工する仕組みを解説
ドライエッチングは、反応性ガスのプラズマを使って薄膜や基板を除去する加工技術です。方向性を持たせやすく、微細なライン、ホール、トレンチを垂直に形成できます。 -
蒸着とは？真空中で金属・絶縁膜を形成するPVD技術の仕組みを解説
蒸着は、真空中で材料を加熱または電子ビームで蒸発させ、その蒸気をウェハや基板へ付着させるPVD成膜法です。熱蒸着と電子ビーム蒸着が代表的です。 -
半導体の拡散工程とは？ドーパントを熱で移動させる仕組みと用途を解説
拡散工程は、高温でドーパント原子をシリコン結晶中へ移動させ、所定の濃度分布と接合深さを形成する熱処理です。イオン注入が普及する以前から使われ、現在も再分布や一部デバイス形成で重要です。 -
LPCVDとは？低圧CVDによる高品質薄膜形成の仕組みと用途を解説
LPCVDはLow Pressure Chemical Vapor Depositionの略で、減圧下で原料ガスを熱分解・反応させ、ウェハ上へ薄膜を形成するCVD方式です。均一性、緻密性、段差被覆性に優れ、複数枚を同時処理できます。 -
PECVDとは？プラズマで低温成膜する半導体CVD技術を解説
PECVDはPlasma Enhanced Chemical Vapor Depositionの略で、プラズマのエネルギーを利用して原料ガスを分解し、比較的低い基板温度で薄膜を形成する技術です。 -
アライメントとは？半導体露光でウェハとレチクルの位置を合わせる仕組みを解説
アライメントは、ウェハ上の既存パターンと次に露光するレチクルパターンの座標を合わせる操作です。専用のアライメントマークを読み取り、ウェハの位置、回転、倍率、歪みを補正します。 -
オーバーレイとは？半導体の多層パターン位置ずれと計測・補正を解説
オーバーレイは、異なる露光レイヤー間のパターン位置合わせ精度、またはその位置ずれ量です。前の層に対して次の層がX・Y方向や回転、倍率、歪みを含めてどれだけずれたかを評価します。 -
NA（開口数）とは？露光装置の解像度を決める数値とHigh-NA EUVを解説
NAはNumerical Apertureの略で、露光光学系がどれだけ広い角度の光を取り込めるかを表す開口数です。NAが大きいほど微細なパターンを解像できますが、焦点深度や光学設計の難しさとのトレードオフがあります。 -
半導体露光の解像度とは？レイリー式・波長・NA・k1の関係を解説
露光の解像度は、ウェハ上で分離して形成できる最小パターン寸法を示します。一般にレイリー式で説明され、光源波長、投影光学系のNA、プロセス係数k1によって決まります。