後工程・組立・パッケージ– category –
後工程・組立・パッケージでは、ウェハ上に完成した回路を個々のダイに分割し、電気的・機械的に接続して製品へ仕上げる工程を解説します。ダイシング、ダイボンディング、ワイヤボンディング、フリップチップ、バンプ、Cuピラー、アンダーフィル、モールド、リードフレームといった基本工程を整理し、BGA、LGA、QFN、CSP、WLP、FOWLPなど主要パッケージの特徴を紹介します。TSV、RDL、2.5D・3D積層、CoWoS、SoIC、HBMパッケージ、SiPなどの先端実装にも対応。基板材料、はんだ、リフロー、放熱、反り、剥離、クラック、MSL、X線・超音波検査、熱サイクル、HAST、HTOLまで、実装品質と信頼性を左右する半導体後工程の用語を体系的に学べます。スマートフォン、車載、AI向け製品で求められる小型化・高速化・高放熱との関係もわかりやすく説明します。
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後工程・組立・パッケージ
モールディング(封止)とは?TOWA・住友ベークライトが支えるチップ保護工程【2026年版】
結論:モールディング(封止)は、チップとワイヤ・バンプを樹脂で覆い、湿気・衝撃・光から保護する工程。エポキシ封止材(EMC)は住友ベークライト・レゾナック・京セラなど日本勢が世界シェアの大半を握り、装置はTOWAが圧縮成形でリードする。モールデ... -
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ダイシングとは?ディスコが世界シェア8割を握るウェーハ切断工程【2026年版】
結論:ダイシングは、完成したウェーハを1個ずつのチップ(ダイ)に切り分ける工程。ブレード切断からレーザー・ステルスダイシング、プラズマダイシングへと多様化が進む。装置・ブレードともにディスコが世界シェア約7〜8割を握る圧倒的寡占市場だ。ダイ... -
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バックグラインディングとは?ウェーハを30μm台まで薄くする研削工程【2026年版】
結論:バックグラインディングは、ウェーハの裏面を研削して厚さを数百μmから数十μm(HBM用途では30μm台)まで薄くする工程。チップ積層時代の必須技術であり、研削装置はディスコ・東京精密の日本2強が支配。薄くなるほど割れやすく、搬送・保護技術が価... -
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ワイヤボンディングとは?K&S・ASMPTが支配するチップ接続の基本技術【2026年版】
結論:ワイヤボンディングは、金や銅の極細ワイヤでチップの電極と基板・リードフレームを一本ずつ接続する最も歴史ある実装技術。装置はK&S(Kulicke & Soffa)とASMPTの2強。フリップチップ全盛の今も、コスト優位性から全チップ実装の過半を占め続ける... -
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フリップチップとは?チップを裏返して接続する高性能実装の標準技術【2026年版】
結論:フリップチップは、チップ表面に形成したバンプ(突起電極)を下向きに裏返して基板と直接接合する実装技術。ワイヤボンディングより多ピン・高速・低インダクタンスで、CPU・GPU・スマホAPなど高性能チップの標準実装方式となっている。フリップチ...