後工程・組立・パッケージ– category –
後工程・組立・パッケージでは、ウェハ上に完成した回路を個々のダイに分割し、電気的・機械的に接続して製品へ仕上げる工程を解説します。ダイシング、ダイボンディング、ワイヤボンディング、フリップチップ、バンプ、Cuピラー、アンダーフィル、モールド、リードフレームといった基本工程を整理し、BGA、LGA、QFN、CSP、WLP、FOWLPなど主要パッケージの特徴を紹介します。TSV、RDL、2.5D・3D積層、CoWoS、SoIC、HBMパッケージ、SiPなどの先端実装にも対応。基板材料、はんだ、リフロー、放熱、反り、剥離、クラック、MSL、X線・超音波検査、熱サイクル、HAST、HTOLまで、実装品質と信頼性を左右する半導体後工程の用語を体系的に学べます。スマートフォン、車載、AI向け製品で求められる小型化・高速化・高放熱との関係もわかりやすく説明します。
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後工程・組立・パッケージ
HBMパッケージとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
HBMパッケージは、複数のDRAMダイをTSVで積層し、ロジックダイの近傍へ広帯域接続するメモリ実装です。 -
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半導体モジュールとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
半導体モジュールは、複数の半導体、受動部品、基板、放熱部品などを機能単位で一体化した製品です。 -
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Fan-In WLPとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
Fan-In WLPは、外部端子とRDLをダイ外形の内側へ配置するウェハレベルパッケージです。 -
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2.5D実装とは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
2.5D実装は、複数のダイをインターポーザ上へ並べ、微細配線で高密度接続する先端パッケージ技術です。 -
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CSPとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
CSPはChip Scale Packageの略で、パッケージ外形がダイ寸法の概ね1.2倍以内に収まる小型パッケージの総称です。 -
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WLPとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
WLPはWafer Level Packageの略で、ウェハ状態のまま再配線、バンプ、保護膜などのパッケージ工程を行ってから個片化する技術です。 -
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LGAとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
LGAはLand Grid Arrayの略で、底面に平坦なランド電極を格子状に配置するパッケージです。 -
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QFNとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
QFNはQuad Flat No-leadの略で、四辺の底面電極と中央の露出パッドを持つ小型・薄型パッケージです。 -
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リードフレームとは?半導体後工程・パッケージにおける仕組み・課題・評価方法を解説
リードフレームは、ダイを支持するダイパッドと外部端子となるリードを一体化した金属部材です。QFNやSOPなどに使われます。