半導体用語集– category –

SRAMセルは、電源が供給されている間、フリップフロップ状態を保持する高速メモリセルです。

LDMOSは、電流がチップ表面に沿って横方向へ流れる高耐圧MOSトランジスタです。

IGBTは、MOSゲートの駆動しやすさとバイポーラ動作の低導通損失を組み合わせたパワーデバイスです。

SiC MOSFETは、炭化ケイ素の高耐圧・高温特性を生かした高速パワースイッチです。

GaN HEMTは、GaN系ヘテロ接合に生じる高密度の二次元電子ガスを利用する高速トランジスタです。

PMOSは、正孔を主なキャリアとしてp型チャネルを形成するMOSトランジスタです。

BJTは、電子と正孔の両方を利用し、ベース電流でコレクタ電流を制御するバイポーラトランジスタです。

CMOSは、NMOSとPMOSを相補的に組み合わせ、低い待機電力で論理処理を行う半導体回路方式です。

NMOSは、電子を主なキャリアとしてn型チャネルを形成するMOSトランジスタです。