半導体用語集– category –

IGBTは、MOSゲートの駆動しやすさとバイポーラ動作の低導通損失を組み合わせたパワーデバイスです。

SiC MOSFETは、炭化ケイ素の高耐圧・高温特性を生かした高速パワースイッチです。

GaN HEMTは、GaN系ヘテロ接合に生じる高密度の二次元電子ガスを利用する高速トランジスタです。

PMOSは、正孔を主なキャリアとしてp型チャネルを形成するMOSトランジスタです。

BJTは、電子と正孔の両方を利用し、ベース電流でコレクタ電流を制御するバイポーラトランジスタです。

CMOSは、NMOSとPMOSを相補的に組み合わせ、低い待機電力で論理処理を行う半導体回路方式です。

NMOSは、電子を主なキャリアとしてn型チャネルを形成するMOSトランジスタです。

テストカバレッジは、想定した故障モデルのうちテストで検出できる割合を示す品質指標です。

コンタクト抵抗は、プローブ・ソケット・電極・配線など二つの導体が接触する界面で生じる抵抗です。