半導体用語集– category –

PCMは、相変化材料の結晶状態とアモルファス状態の抵抗差を利用する不揮発性メモリです。

OTPは、一度だけ書き込み可能で、その後は不揮発的にデータを保持するメモリです。

ROMは、通常動作では内容を書き換えず、固定データやプログラムを保持する読み出し専用メモリです。

DRAMセルは、1個のトランジスタと1個のキャパシタを基本として電荷の有無で1ビットを記憶します。

フラッシュセルは、電源を切っても電荷や分極状態を保持できる不揮発性メモリ素子です。

NORフラッシュは、セルを並列に接続し、ランダムアクセスとコード直接実行に適した不揮発性メモリです。

JFETは、PN接合の空乏層幅を変えてチャネル電流を制御する電界効果トランジスタです。

SRAMセルは、電源が供給されている間、フリップフロップ状態を保持する高速メモリセルです。

LDMOSは、電流がチップ表面に沿って横方向へ流れる高耐圧MOSトランジスタです。