この記事のポイント：D-process（日本）はシリコンウェハ・ハードディスク基板等の精密研磨加工（ラッピング・ポリッシング）を受託する専門加工企業。半導体ウェハの表面粗度・平坦度（TTV・LTV）の高精度管理が要求されるCMP（化学機械研磨）前後工程や、次世代ウェハ基板の研磨受託加工に強みを持つ。化合物半導体（SiC・GaN）基板の研磨需要拡大が新たな成長機会となっている。
| 企業名 | D-process（株式会社Dプロセス） |
|---|---|
| 本社所在地 | 日本 |
| 事業内容 | ウェハ・ハードディスク基板の受託精密研磨（ラッピング・ポリッシング） |
| 加工対象 | シリコン（Si）・SiC・GaN・ガラス・サファイア等の基板研磨 |
| 品質指標 | TTV（Total Thickness Variation）・表面粗度Ra・反りの高精度管理 |
精密研磨が半導体製造に不可欠な理由
半導体ウェハはシリコンインゴットをスライス（ワイヤーソーイング）した後、粗研削→精密ラッピング→化学機械研磨（CMP）という複数段階の研磨工程を経て製品になる。最終的なウェハ表面の粗度は原子レベル（Ra 0.1nm以下）・厚さ均一性は±1μm以内が要求されるため、各段階での精密研磨技術が完成品ウェハの品質を決定づける。
ポイント：シリコンウェハだけでなく、SiC・GaN・サファイア・ガラス基板など次世代材料は硬度が高く（SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度）、研磨加工の難易度が格段に高い。D-processのような専門受託加工企業が次世代基板の研磨技術を持つことは、SiC・GaN産業の量産化を加速させる重要なインフラとなる。
ラッピング・ポリッシングの技術的詳細
① ラッピング（粗研磨）
スライス後の凹凸を平坦化する粗研磨工程。砥粒（アルミナ・炭化珪素等）を含むスラリーと平板（ラップ定盤）でウェハを研削する。TTV（全厚さ変動）をμmレベルで管理し、後工程のCMP効率を高める基盤を作る。SiCウェハは硬度が高いためラッピング時間が長く、砥粒・定盤の消耗コストも高い。
② ポリッシング（精密研磨・CMP）
ラッピング後の表面を原子レベルで平坦化する最終研磨工程。シリカ・アルミナ・セリアスラリーと研磨パッドを組み合わせ、Ra 0.1nm以下の鏡面仕上げを実現する。ハードディスク基板はさらに磁気記録膜との密着性のために超平滑化が求められ、D-processはこの高難度加工にも対応する。
③ SiC・GaN次世代基板への対応
EV向けパワー半導体のSiCウェハは従来のシリコン比で研磨難易度が約5倍とも言われる。これに対応するためのダイヤモンド砥粒スラリー・精密平坦化技術を持つ受託加工企業は国内でも限られており、D-processがこの領域で技術を持つことは高い差別化要因となる。
投資・M&A視点での評価
精密研磨受託加工は初期設備投資（高精度研磨機・クリーンルーム）が高く、加工ノウハウの蓄積に時間がかかるため参入障壁は高い安定したニッチビジネスだ。SiC・GaNウェハ市場の急拡大に伴い、高精度研磨の受託需要は構造的に拡大する。シリコンウェハ大手（信越化学・SUMCO）や化合物半導体メーカーが受託研磨企業を垂直統合する動きも選択肢の一つとなる。詳細は半導体業界の全体構造を読むも参照。
※本記事は公開情報をもとに作成した分析・解説記事です。投資判断等の根拠として使用する場合は、必ず一次情報をご確認ください。情報は執筆時点のものであり、最新状況とは異なる場合があります。
関連記事
テックメディックス総研株式会社 | 半導体業界コンサルティング
半導体サプライチェーン調査・M&Aデューデリジェンス・市場参入戦略など、専門的なコンサルティングサービスを提供しています。
📊 M&A・投資視点のより深い企業分析はnoteで公開中
→ 半導体業界動向マガジン（高野聖義）
🏢 半導体業界へのM&A・参入・コンサルティングをご検討の方
→ 初回相談無料｜テックメディックス総研株式会社
コメント