【2026年10月】米商務省、CHIPS法のR&D資金で核融合・縦型GaN・石英の4社に最大3.89億ドルの意向書と発表──補助金が「議決権なし出資」に変わり、電力と素材が政策の主戦場になる構造

結論：米商務省は2026年10月22日、CHIPS法のR&D資金から最大3億8,900万ドルを、核融合2社・縦型GaN電力半導体1社・超高純度石英1社に出す意向書（LOI）を結んだと発表した。注目点は金額より設計にある。助成の条件として、政府が各社の議決権のない少数株式を取得する。半導体政策の重心が「先端ロジックの工場誘致」から「電力変換と素材という足元のボトルネック」へ移り、補助金が「出資」に変わり始めた構造が見える。なお、いずれも最終契約前の意向書であり、金額は上限である。

何が発表されたのか：4社・上限3.89億ドル

商務省の発表（NIST掲載）によると、対象は4社である。Helionは最大1億7,500万ドルで、核融合発電機の磁石を駆動する高電圧パワー半導体と大電流パルス用の電源モジュールを国内で確立する。Commonwealth Fusion Systemsは最大8,500万ドルで、高周波プラズマ加熱用の半導体や耐放射線電子機器などを開発する。Vertical Semiconductorは最大7,300万ドルで、縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を高度化し、先端コンピューティング向けの電力供給の小型化・高効率化を狙う。Sibelcoは最大5,600万ドルで、結晶成長用のるつぼなどに使う超高純度石英の精製・仕上げ技術を次世代化する。

資金はCHIPS Research & Development Office経由で、製造設備への投資ではなく研究開発が対象である。DCDの報道では、Helionは民間投資を合わせた総額を2億2,500万ドルとしており、Commonwealth Fusion Systemsは計画中の400MW級の発電所ARCで、Googleが200MW分の電力購入契約を持つ。核融合という長期テーマでも、すでに民間の需要家が見え始めている点は押さえておきたい。

構造①：ボトルネックは「演算」から「電力」へ

AIの投資議論は、GPUやHBMなど演算とメモリに集中してきた。だが当サイトが追ってきたとおり、供給制約は周辺へ広がっている。TSMCの7〜9月期決算やHBMの単価上昇が示すのは、需要が先端品に偏りつつも供給の詰まりが連鎖する姿だ。今回の発表は、その詰まりが「電力変換」にあると政府が認めたことを意味する。商務省は電力の変換と供給を、電力網、データセンター、防衛、核融合に共通の基盤と位置づけた。Vertical Semiconductorが掲げる2.5MW級のデータセンター用ラック構想は、ラック単位の電力が桁違いに増える方向を象徴している。

パワー半導体は、微細化競争とは別の論理で動く。性能を決めるのは線幅ではなく、耐圧、スイッチング損失、熱設計、パッケージである。縦型GaNは電流を基板の厚み方向に流すことで高耐圧・高電力密度を狙う方式で、成熟ノードの生産設備で作れる余地があるとされる。ここは先端ロジックと違い、米国内で供給網を組み直しやすい領域でもある。

構造②：補助金から「出資」へ──政府が株主になる意味

今回の最大の特徴は、助成の条件として政府が議決権のない少数株式を取得する点である。持分比率や評価額は発表されていない。ここから読み取れるのは、政府が補助金を「返礼のない支出」ではなく、成功時に納税者へ還元される資産として設計し直そうとしていることだ。商務省自身も、納税者への見返りを高めると説明している。

企業側から見ると、議決権のない株式であれば経営の自由度は保たれる一方、将来の資金調達や出口戦略では、政府が株主に並ぶことが前提になる。M&Aや提携を考える側にとっては、助成を受けた会社の株主構成と、最終契約に付く条件（技術の国内維持など）を確認することが、デューデリジェンスの新しい論点になるだろう。これは報道ベースの推測を含む見方であり、最終契約の条件が公表されるまで断定はできない。

構造③：素材の石英は「地味だが代替が利かない」

Sibelcoの案件は、4件の中で最も地味に見えて、実は構造的に重要である。超高純度石英は、シリコン単結晶を引き上げるるつぼなどに使われ、品質が歩留まりに直結する。ウェハー需要の拡大が続く中、SEMIは2026年のシリコンウェハー出荷を約12%増と見込むと伝えられている。素材の上流は設備投資より増強に時間がかかり、供給が硬直しやすい。米州の300mm装置投資が2029年に倍増するというSEMIの予測や、ASMLの供給が需要に追いつかない構図、Applied Materialsの50億ドル研究拠点とあわせて見ると、装置・材料・研究拠点を米国内に積み上げる動きの一部として理解できる。

日本の読者への示唆

日本でも、Rapidusへの支援が累計2.354兆円に達するなど、先端ロジックへの公的資金は大きい。だが今回の米国の動きは、次の焦点が電力半導体、素材、そしてそれらに対する公的資金の「持ち方」に移りつつあることを示す。パワー半導体や石英、高純度材料に強みを持つ日本企業にとっては、米国内での供給網再構築が提携・出資・買収の機会になりうる。一方で、政府出資が入った米国企業との取引では、技術移転や輸出管理の条件が複雑になる可能性もある。

まとめると、今回の発表は「3.89億ドルの補助金」というより、半導体政策が電力と素材へ広がり、同時に補助金が出資へ変わる転換点を示す事例である。最終契約の条件、政府の持分比率、他の企業への拡大の有無が、次の確認ポイントになる。なお、LOIの内容は商務省の発表に基づくが、最終的な交付条件は未確定である。

出典：米商務省（NIST掲載）「Department of Commerce Announces Letters of Intent With 4 Companies for $389 Million of R&D Awards」（2026年10月22日）／Data Center Dynamics（2026年10月23日）／Semiconductor Engineering「Chip Industry Week In Review」（2026年10月23日）。