製造プロセス｜どう作るか– category –

結論：TCB（Thermo-Compression Bonding：熱圧着ボンディング）は、チップを加熱・加圧しながら高精度に積み上げる接合技術。HBMのDRAM積層の量産を支える現在の主力工法で、装置はASMPT・BESI・新川（ヤマハロボティクス）などが競う。ハイブリッドボンデ...

結論：SiP（System in Package）は、プロセッサ・メモリ・センサ・受動部品など複数の異種チップを1つのパッケージに集積し「システム」として完成させる技術。Apple WatchのSiPが代表例で、ASE（日月光）が受託で世界をリードする。チップレット時代の上...

結論：アンダーフィルは、フリップチップのバンプ接続部の隙間に流し込む補強樹脂。チップと基板の熱膨張差によるバンプ疲労破壊を防ぎ、パッケージの寿命を決定づける。ナミックス・レゾナックなど日系材料メーカーが高シェアを持つ隠れた要素技術だ。ア...

結論：モールディング（封止）は、チップとワイヤ・バンプを樹脂で覆い、湿気・衝撃・光から保護する工程。エポキシ封止材（EMC）は住友ベークライト・レゾナック・京セラなど日本勢が世界シェアの大半を握り、装置はTOWAが圧縮成形でリードする。モールデ...

結論：ダイシングは、完成したウェーハを1個ずつのチップ（ダイ）に切り分ける工程。ブレード切断からレーザー・ステルスダイシング、プラズマダイシングへと多様化が進む。装置・ブレードともにディスコが世界シェア約7〜8割を握る圧倒的寡占市場だ。ダイ...

結論：バックグラインディングは、ウェーハの裏面を研削して厚さを数百μmから数十μm（HBM用途では30μm台）まで薄くする工程。チップ積層時代の必須技術であり、研削装置はディスコ・東京精密の日本2強が支配。薄くなるほど割れやすく、搬送・保護技術が価...

結論：RDL（Redistribution Layer：再配線層）は、チップの電極位置をパッケージ都合の位置に「引き回し直す」ための薄膜配線層。WLP・ファンアウト・2.5Dパッケージの根幹技術であり、微細化（2μm以下）と多層化が先端パッケージの競争力を直接左右する。...

結論：バンプはチップと基板・インターポーザを電気的につなぐ微細な突起電極。はんだバンプ（100μm級）からマイクロバンプ（40〜10μm）へ微細化が進み、その先はバンプレスのハイブリッドボンディングに行き着く。バンプ形成はめっき装置・材料の重要市場...

結論：インターポーザは、GPUとHBMなど複数のチップを高密度配線で結ぶ「中間基板」。TSMCのCoWoSに使われるシリコンインターポーザがAI半導体の標準となり、その生産能力がAIチップ供給のボトルネックとなってきた。低コスト化に向けガラス・有機材料への...

結論：ワイヤボンディングは、金や銅の極細ワイヤでチップの電極と基板・リードフレームを一本ずつ接続する最も歴史ある実装技術。装置はK&S（Kulicke & Soffa）とASMPTの2強。フリップチップ全盛の今も、コスト優位性から全チップ実装の過半を占め続ける...