結論：DRAM（Dynamic Random Access Memory）はトランジスタ1個とキャパシタ1個で1ビットを記憶する揮発性メモリ。PCのメインメモリとして広く使われ、SK Hynix・Samsung・Micronの3社が世界市場の95%超を寡占する半導体業界の基幹製品だ。
DRAMとは何か
DRAM（Dynamic Random Access Memory）は1セル＝1トランジスタ（1T）+1キャパシタ（1C）の構造でデータを記憶する揮発性半導体メモリだ。キャパシタに電荷を蓄えることで「1」、放電状態で「0」を表現する。「Dynamic（動的）」の名の通り、電荷が自然に放電するため数ミリ秒ごとにリフレッシュ（再書き込み）が必要だ。高速・大容量・比較的低コストで、サーバー・PC・スマートフォンのメインメモリとして不可欠な存在だ。
DRAMの製造と微細化
DRAMの製造では高アスペクト比のキャパシタ（コンデンサ）を深いトレンチまたは高い柱状構造で形成する必要がある。先端DRAMではALDによる高誘電率絶縁膜（ZrO₂・HfO₂等）の成膜と、ドライエッチングによる高アスペクト比加工が重要だ。配線材料はCu・Wで、CMPによる平坦化も各層で必要となる。Samsung・SK Hynix・Micronはそれぞれ独自プロセスで10nm級（1α/1β/1γ世代）まで微細化を進めている。
DDR5とLPDDR5の世代進化
DRAMは転送速度の世代でSDRAM→DDR→DDR2→DDR3→DDR4→DDR5と進化してきた。DDR5はDDR4比で約2倍の帯域幅（最大6400MT/s以上）と低電圧化を実現し、AI・HPC向けサーバー需要が牽引する。モバイル向けはLPDDR5/5X（低消費電力）が主流で、スマートフォンのAI処理能力向上に寄与している。AIアクセラレータ向けにはHBM（High Bandwidth Memory）がDRAMを積層した派生製品として急成長している。
投資・M&A視点
DRAM市場はSamsung・SK Hynix・Micronの3社寡占で、設備投資サイクルと価格変動が激しい。AI需要爆発でDDR5・HBMの需要が急増しており、SK HynixはHBM専業化で高利益率を享受している。Samsungは2024年にHBM歩留まり問題でNVIDIAへの採用が遅れ、株価が大幅下落した。中国は輸出規制でDRAM先端プロセスへのアクセスが制限されており、長江存儲技術（CXMT）等が国産化に取り組んでいる。
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