半導体用語集– category –

Backside Power Delivery（BSPDN）は、トランジスタの背面側から電力を供給し、表面側を主に信号配線へ使う技術です。

EUVレイヤーは、波長13.5nmのEUV露光を使って形成する先端半導体の配線・デバイス層です。

TSMC N5は、EUVを本格採用し、スマートフォン、CPU、GPU、AIチップで広く使われる5nm級プロセスです。

Intel 18Aは、RibbonFETと背面電源供給PowerViaを組み合わせるIntelの先端ロジックプロセスです。

TSMC N2は、GAAナノシートトランジスタを採用するTSMCの2nm級先端ロジックプロセスです。

TSMC N3は、EUVを活用した3nm級FinFET世代の先端ロジックプロセス群です。

L2キャッシュは、L1より大容量で、主記憶や下位キャッシュへのアクセスを減らす第2階層キャッシュです。

L3キャッシュは、複数コアで共有されることが多い大容量の最終レベルキャッシュです。

キャッシュメモリは、CPUやGPUが頻繁に使うデータを保持し、低速な主記憶へのアクセスを減らす高速メモリです。