ウェハ・半導体材料– category –
ウェハ・半導体材料では、半導体デバイスの土台となるシリコンウェハと、製造工程で使われる薄膜、金属、薬液、ガスなどの材料を解説します。300mm・200mmウェハ、SOI、エピタキシャルウェハ、CZ法、FZ法、インゴット、スライス、研磨、CMPといったウェハ製造の流れを整理し、酸化シリコン、窒化シリコン、Low-k、High-k、HfO2などの絶縁膜も紹介します。銅、アルミ、タングステン、TiN、TaN、バリアメタル、フォトレジスト、ハードマスク、スラリー、ALD前駆体、CVD・エッチングガスまで幅広く収録。超純水や薬液、パーティクル、金属・有機汚染、FOUP、真空、プラズマなど、品質管理に欠かせない半導体材料の基礎知識を体系的に学べます。材料の選定理由や工程内での使われ方、デバイス性能・歩留まりとの関係までつなげて解説します。
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ウェハ・半導体材料
SOIウェハとは?構造・メリット・FD-SOIとRF用途を解説
SOIは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。SOI(Silicon on Insulator)は、シリコン支持基板の上に絶縁膜と薄い活性シリコン層を形成したウェハです。素子分離性、寄生容量、耐放射線性を改善できます。 本記事では「半... -
ウェハ・半導体材料
スパッタリングターゲットとは?JX金属が世界を握る超高純度金属の消耗品ビジネス【2026年版】
結論:スパッタリングターゲットは、PVD(物理気相成長)で金属薄膜の原料となる高純度金属板。アルゴンイオンをぶつけて原子を叩き出し、ウェーハに堆積させる。JX金属が半導体用で世界シェア首位、東ソー・三井金属・アルバック・Honeywellなどが続く、... -
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プリカーサ(前駆体)とは?ALD・CVD薄膜の原料となる高付加価値材料【2026年版】
結論:プリカーサ(前駆体)は、ALD・CVDで薄膜の原料となる化合物。液体・固体の金属化合物を気化させてチャンバーに送り、ウェーハ表面で反応させて膜を作る。High-k・メタルゲート・3D NANDの多層化で需要が急増し、日本のADEKA・トリケミカル、米メル... -
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特殊ガスとは?成膜・エッチングを支える高純度材料ガスと供給網の地政学【2026年版】
結論:特殊ガス(スペシャリティガス)は、成膜・エッチング・洗浄・ドーピングに使う高純度の反応性ガス群。純度99.999%以上が標準で、エア・リキード、リンデ、日本の大陽日酸・レゾナック・関東電化・セントラル硝子などが供給する。半導体材料の中でも... -
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CMPスラリー・パッドとは?Entegris・フジミ・デュポンが握る研磨消耗品【2026年版】
結論:CMPスラリーとパッドは、化学機械研磨(CMP)の性能を決める2大消耗品。スラリーはキャボット(現CMCマテリアルズ→Entegris傘下)・フジミ・レゾナックなど、パッドはデュポン(旧ダウ)が圧倒的シェアを持つ。装置より消耗品が儲かる「替刃モデル」... -
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フォトマスク・マスクブランクスとは?HOYA・凸版が支える回路転写の原版ビジネス【2026年版】
結論:フォトマスク・マスクブランクスは、回路パターンをウェーハに転写するための「原版」とその基板材料。EUV用ブランクスはHOYAとAGCの日本2社が世界供給をほぼ独占し、マスク製造では凸版・DNP・Photronicsと各社内製部門が担う。1枚数億円のEUVマス... -
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シリコンウェーハとは?信越化学・SUMCOが支配する半導体の出発点【2026年版】
結論:シリコンウェーハは半導体製造の出発点となる高純度シリコン基板。信越化学工業・SUMCOの2社が世界シェアの約60%を寡占しており、直径300mm(12インチ)ウェーハが先端ファブの標準だ。材料品質がチップ性能・歩留まりを根本から左右する重要インフ... -
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低k膜(Low-k誘電体)とは?Cu配線のRC遅延を下げる層間絶縁膜技術【2026年版】
結論:低k膜(Low-k誘電体)は層間絶縁膜(ILD)の誘電率kを下げてRC遅延と消費電力を低減する材料技術。7nm以降の先端ノードでは多孔質Low-k(k≈2.0以下)やエアギャップ構造が必須となり、成膜・CMP・信頼性の管理が高度化している。 低k膜が必要な理由 ... -
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ペリクルとは?EUV露光マスクを守る超薄膜フィルムの仕組みと投資視点【2026年版】
結論:ペリクルは、フォトマスク(レチクル)表面に付着するパーティクルを光学的にデフォーカスさせてウェハへの欠陥転写を防ぐ超薄膜の保護フィルム。ArF露光用はフッ素系ポリマー、EUV用はポリシリコン薄膜(50nm以下)と材料がまったく異なり、EUV用ペ...