ウェハ・半導体材料– category –
ウェハ・半導体材料では、半導体デバイスの土台となるシリコンウェハと、製造工程で使われる薄膜、金属、薬液、ガスなどの材料を解説します。300mm・200mmウェハ、SOI、エピタキシャルウェハ、CZ法、FZ法、インゴット、スライス、研磨、CMPといったウェハ製造の流れを整理し、酸化シリコン、窒化シリコン、Low-k、High-k、HfO2などの絶縁膜も紹介します。銅、アルミ、タングステン、TiN、TaN、バリアメタル、フォトレジスト、ハードマスク、スラリー、ALD前駆体、CVD・エッチングガスまで幅広く収録。超純水や薬液、パーティクル、金属・有機汚染、FOUP、真空、プラズマなど、品質管理に欠かせない半導体材料の基礎知識を体系的に学べます。材料の選定理由や工程内での使われ方、デバイス性能・歩留まりとの関係までつなげて解説します。
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ウェハ・半導体材料
アルミ配線とは?半導体配線材料の構造・Cu配線との違いを解説
アルミ配線は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。アルミ配線は、アルミニウムまたはAl-Cu合金を用いて信号・電源を接続する配線技術です。成熟ノード、パワー半導体、ボンディングパッドで広く使われます。 本記事では... -
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バリアメタルとは?Cu拡散防止・密着層・材料選定を解説
バリアメタルは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。バリアメタルは、CuやWなどの配線金属が絶縁膜やシリコンへ拡散することを防ぎ、密着性を確保する薄膜です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調べる方に... -
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タングステン配線とは?コンタクト・ビア埋め込みとCVD工程を解説
タングステンは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。タングステン(W)は、高融点で熱安定性に優れ、半導体のコンタクトプラグ、ビア、ローカル配線に使われる金属材料です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」... -
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HfO2とは?High-kゲート絶縁膜の役割・ALD成膜・信頼性を解説
HfO2は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。HfO2(酸化ハフニウム)は、高い誘電率とシリコンプロセス適合性を持つHigh-k材料です。微細MOSFETのゲート絶縁膜や先端メモリに利用されます。 本記事では「半導体 用語」「... -
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TiN・TaNとは?半導体の電極・バリアメタル材料を解説
TiN・TaNは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。TiNとTaNは、導電性、耐熱性、拡散防止性を備えた金属窒化物です。ゲート電極、コンタクト、Cu配線のバリア層などに使われます。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎... -
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FZ法とは?フローティングゾーン法の原理・高純度シリコン用途を解説
FZ法は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。FZ法(フローティングゾーン法)は、るつぼを使わず多結晶シリコン棒の一部を高周波加熱で溶融し、溶融帯を移動させて単結晶化する方法です。 本記事では「半導体 用語」「半... -
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CZ法とは?シリコン単結晶の引き上げ原理・酸素濃度・300mm化を解説
CZ法は、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。CZ法(チョクラルスキー法)は、溶融シリコンへ種結晶を接触させ、回転させながら引き上げて単結晶インゴットを作る方法です。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調... -
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EPI・エピタキシャルウェハとは?成長原理・用途・品質管理を解説
EPIは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。EPIはエピタキシャル成長の略で、単結晶ウェハ上に結晶方位を引き継いだ単結晶薄膜を成長させる技術と、そのウェハを指します。 本記事では「半導体 用語」「半導体 基礎」を調... -
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200mm・300mmウェハとは?口径の違い・用途・製造コストを解説
200mm・300mmウェハは、半導体の性能、歩留まり、製造コストを理解するうえで重要な用語です。200mmウェハは直径約8インチ、300mmウェハは約12インチのシリコン基板です。現在の先端ロジックや大容量メモリでは300mmが主流ですが、パワー半導体、アナログ...