結論：FinFET（Fin Field-Effect Transistor）は電流を制御するゲートがフィン（ひれ）状のシリコン突起を三方向から囲む3次元トランジスタ構造。従来の平面型（Planar）MOSFETに比べリーク電流を大幅に抑えながら電流駆動力を高め、22nm以降の先端ノードで標準採用されてきた。
FinFETが登場した背景
半導体の微細化が進むにつれ、平面型MOSFETではゲートがチャネルを一方向からしか制御できないため、リーク電流（オフ状態でも流れる漏れ電流）が急増した。これが消費電力増加・性能低下の根本原因となった。FinFETはゲートをシリコンフィン（薄い板状突起）の三方向（両側面と上面）から包み込む「三重ゲート」構造で、電気的制御力を飛躍的に向上させた。Intelが22nm世代（2011年）で初めて量産に導入し、その後TSMC・Samsungがそれぞれ独自のFinFET実装で追随した。
FinFETの構造と製造
FinFETの製造ではまずSTI（浅トレンチ素子分離）でフィンを形成し、ドライエッチングでフィン形状を精密に加工する。その後HKMG（High-k Metal Gate）を形成し、ソース・ドレインはエピタキシャル成長で形成する。フィン幅・フィン高さ・フィンピッチが電気特性を左右するため、CD-SEMによる寸法計測とAPCによる工程制御が不可欠だ。
FinFETの世代と微細化
FinFETは22nm→16/14nm→10nm→7nm→5nm→3nmと世代を重ねてきた。フィンの本数を増やしてドライブ電流を増加させる設計が基本で、各世代でフィン寸法の縮小とマルチパターニング・EUV露光との組み合わせが重要だ。ただし3nm以降はフィン形状の限界から、GAAトランジスタへの移行が進んでいる。
投資・M&A視点
FinFETの量産能力を持つファウンドリはTSMC・Samsung・Intelの3社に限られ、参入障壁は極めて高い。FinFETプロセス開発への投資額は数千億〜1兆円規模に達し、中国企業（SMICなど）は米国輸出規制でFinFET以降の先端ノードへのアクセスが制限されている。ファブレス企業の設計力とファウンドリの製造能力の組み合わせが半導体業界の競争構造を決定付けており、M&A分析では「どのノードまで対応できるか」が企業評価の核心となる。
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